Quá Trình và Đặc Trưng của Các Phim Xerogel Dựa trên Silica Lai

Các phim xerogel hữu cơ-vô cơ lai đã được phủ như các phim mỏng xốp bằng cách quay dung dịch tiền thân trên nền silicon. Các phim có thành phần khác nhau đã được chuẩn bị bằng cách kết hợp các tiền thân sau: methyltrimethoxysilane, dimethoxydimethylsilane và tetramethoxysilane (TMOS). Các phim lai thể hiện khả năng điền đầy khoảng trống xuất sắc (0.45 micron). Các thí nghiệm tách nhiệt cho thấy rằng việc nung nóng lên khoảng 130 độ C sẽ loại bỏ độ ẩm và các thành phần hữu cơ bay hơi có trong phim vừa được đổ. Việc xử lý nhiệt được phát hiện là tăng cường sự bám dính giữa xerogel và nền silicon. Độ ẩm được tìm thấy là nguyên nhân dẫn đến sự gia tăng hằng số điện môi. Cụ thể, trong môi trường xung quanh, hằng số điện môi của một phim đã được xử lý là 4.4; nhưng trong khí quyển khô, nó giảm xuống còn 2.5. Các phép đo dòng điện-điện áp cho thấy phim lai đã được xử lý có trường gãy là 3.4 MV/cm.