Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cấu trúc vi mô của các màng vàng được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng ion chùm tập trung
Tóm tắt
Việc lắng đọng các vi đặc trưng vàng do ion chùm tập trung gây ra được thực hiện bằng cách bắn phá 40 keV Ga+ lên một nền mà trên đó dimethyl vàng hexafluoro acetyacetonate được hấp thụ liên tục. Dưới các điều kiện tối ưu, tốc độ lắng đọng vượt quá 11 Å/s đã được đạt được, cùng với các đặc trưng có tỷ lệ khía lớn, bề rộng đường dẫn khoảng 0,1 μm và điện trở suất từ 500 đến 1500 μΩcm. Cấu trúc vi mô, thành phần và hiệu suất của các lớp lắng đã được xem xét theo chức năng của nhiều thông số quy trình khác nhau. Sự cải thiện trong quá trình phát triển màng và độ tinh khiết được quan sát thấy trong các lớp lắng được thực hiện với áp suất hợp kim hữu cơ thấp hơn hoặc mật độ dòng điện cao hơn.
Từ khóa
#lắng đọng ion chùm tập trung #vi đặc trưng vàng #cấu trúc vi mô #điện trở suất #áp suất hợp kim hữu cơTài liệu tham khảo
See, for example: J.M.E. Harper, JJ. Cuomo, and H.R. Kaufman, J. Vac. Sci Technol. 21, 737 (1982).
K. Gamo, N. Takakura, N. Samoto, R. Shimizu, and S. Namba, Japan. J. Appl. Phys. 23, L293 (1984).
For review of the subject: D.J. Ehrlich and J.Y. Tsao, J. Vac. Sci. Technol. B1, 969 (1983).
S. Matsui and K. Mori, J. Vac. Sci. Technol. B4, 299 (1986).
R.B. Jackman and J.S. Foord, Appl. Phys. Lett. 49, 196 (1986).
H.W.P. Koops, R. Weiel, and D.P. Kern, J. Vac. Sci. Technol. B6, 477 (1988).
R.R. Kunz and T.M. Mayer, Appl. Phys. Lett. 50, 962 (1987).
K. Gamo, D. Takehara, Y. Hamamura, M. Tomita, and S. Namba, Microel. Eng. 5, 163 (1986).
G.M. Shedd, H. Lezec, A.D. Dubner, and J. Melngailis, Appl. Phys. Lett. 49, 1584 (1986).
F.G. Rüdenauer, W. Steiger, and D. Schrottmayer, J. Vac. Sci. Technol. B6, 1542 (1988).
L.A. Stern, D.K. Stewart, Presented at 35th Meeting of Amer. Vac. Soc.(1988).
J.R.A. Cleaver, H. Ahmed, P. Heard, P. Prewett, G. Dunn, H. Kaufman, Microel. Eng. 3, 253 (1985).
N.P. Economou, D.C. Shaver, and B. Ward, SPIE 773, 201 (1987).
M. Yamamoto, M. Sato, H. Kyogoko, K. Aita, Y. Nakagawa, A. Yasaka, R. Takasawa, O. Hattori, SPIE 632, 97 (1986).
W.P. Robinson and D.W. Williams, Presented at 35th Meeting of Amer. Vac. Soc. (1988).
For review of applications of focused ion beams: J. Melngailis, J. Vac. Sci. Technol B5 469 (1987).
P.G. Blauner, J.S. Ro, Y. Butt, C.V. Thompson, and J. Melngailis, to be published.
J.S. Ro, A.D. Dubner, C.V. Thompson, and J. Melngailis, Mat. Res. Soc. Symp. 101, 255 (1988).