Pinning Mức Fermi Trong Chất Bán Dẫn (Ranh Giới Giai Đoạn, Tập Hợp, và Biến Đổi Do Bức Xạ)

Springer Science and Business Media LLC - Tập 46 - Trang 594-600 - 2003
V. N. Brudnyi1, S. N. Grinyaev1, N. G. Kolin2
1V. D. Kuznetsov Siberian Physical-Technical Institute, Russia
2Obninsk Branch of the L. Ya. Karpov Institute of Physical Chemistry, Russia

Tóm tắt

Các kết quả ban đầu được trình bày, và tình trạng hiện tại của việc pinning mức Fermi trong các chất bán dẫn được xem xét đối với các hiện tượng vật lý khác nhau (ranh giới giai đoạn, tập hợp chất bán dẫn, và biến đổi do bức xạ của chất bán dẫn).

Từ khóa

#Fermi level #pinning #semiconductors #interphase boundaries #clusters #radiation modification

Tài liệu tham khảo

W. Walukiewicz, Phys. Rev., B37, No. 9, 4760–4763 (1988). V. N. Brudnyi and S.N. Grinyaev, Fiz. Tekh. Poluprovodn., 32, No. 3, 315–318 (1998). S. G. Louie, J. R. Chelikowsky, and M. L. Cohen, J. Vac. Sci. Technol., 13, No. 4, 790–797 (1976); S. G. Louie and M. L. Cohen, Phys. Rev., B13, No. 6, 2461-2469 (1976). C. G. Van de Walle and R. M. Martin, J. Vac. Sci. Technol., B4, No. 4, 1055–1059 (1986). J. Badi, N. Binggeli, and A. Baldereschi, Phys. Rev., B59, No. 12, 8054–8064 (1999). C. Berthod, N. Binggeli, and A. Baldereschi, Phys. Rev., B57, No. 16, 9757–9762 (1998). W. Schottky, Z. Phys., 113, 367 (1939). W. R. Frensley and H. Kroemer, Phys. Rev., B56, 2642 (1997). C. G. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev., B35, No. 15, 8154–8165 (1987). M. Cardona and N. E. Christensen, Phys. Rev., B35, 6182 (1987). W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol., B3, No. 4, 1231–1238 (1985). A. Zunger, Sol. State Phys., 39, 275 (1986). H. Heinrich and J. M. Langer, Adv. Solid State Phys., 26, 251–275 (1986). J. Tersoff and W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol., B5, No. 4, 1221–1224 (1987). Su-Huai Wei and A. Zunger, J. Vac. Sci. Technol., B5, No. 4, 1239–1249 (1987). J. Bardeen, Phys. Rev., 71, No. 10, 717–726 (1947). V. Heine, Phys. Rev., A138, No. 6, 1689–1696 (1965). C. Tejedor, F. Flores, and E. Louise, J. Phys., C10, 2163–2174 (1977). J. Tersoff, Phys. Rev. Lett., 52, No. 6, 465–468 (1984). V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, and V. E. Stepanov, Physica, B212, 429–435 (1995). R. L. Anderson, Solid State Electron., 5, 341 (1962). S. Kurtin, T. McGill, and C. A. Mead, Phys. Rev. Lett., 22, 1433–1436 (1969). H. Hasegawa and H. Ohno, J. Vac. Sci. Technol., B4, No. 4, 1130–1138 (1986). W. E. Spicer, P. W. Chye, et. al., J. Vac. Sci. Technol., 16, No. 5, 1422–1433 (1979). W. Walukiewicz, J. Vac. Sci. Technol., B5, No. 4, 1062–1067 (1987). R. E. Allen, O. F. Sankey, and D. Dow, Surf. Sci., 168, Nos. 1-3, 376–385 (1986); O. F. Sankey and J. D. Dow, J. Vac. Sci. Technol., B3, No. 4, 1162-1166 (1985). J. A. Appelbaum and D. R. Hamann, Phys. Rev., B10, No. 12, 4973–4979 (1974). V. E. Stepanov, in: New Materials in Electronic Engineering, F. A. Kuznetsov, ed., Nauka, Novosibirsk (1990), pp. 26–31. V. N. Brudnyi, S. N. Grinyaev, and N. G. Kolin, Materialovedenie, 72, No. 3, 17–25 (2003). S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, A Willey-Interscience Publ., N.-Y.-Chichester-Brisbane-Toronto-Singapore (1981). Ying Ruan Chao and W. Y. Ching, J. Appl. Phys., 62, No. 7, 2885 (1987). J. Tersoff, Phys. Rev., B30, No. 8, 4874–4877 (1984). V. N. Brudnyi, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 8, 84–97 (1986); V. N. Brudnyi, Doctoral Thesis in Physical and Mathematical Sciences, Tomsk State University, Tomsk (1993). V. N. Brudnyi, O. V. Voevodina, et al., Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 8, 26–38 (1998). N. G. Kolin, V. B. Osvenskyi, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn., 21, No. 3, 521–524 (1987). V. N. Brudnyi, A. I. Potapov, and N. G. Kolin, Fiz. Tekh. Poluprovodn., 37, No. 8, 408–413 (2003). V. N. Brudnyi, Fiz. Tekh. Poluprovodn., 33, No. 11, 1290–1294 (1999). M. G. Milvidskyi and V. V. Chaldyshev, Fiz. Tekh. Poluprovodn., 32, No. 5, 513–522 (1998). R. Coates and W. J. Mitchell, Adv. Phys., 24, No. 5, 594–644 (1975). N. G. Kolin, L. V. Kulikova, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn., 18, No. 12, 2187–2192 (1984). S. N. Grinyaev and V. A. Chaldyshev, Fiz. Tekh. Poluprovodn., 30, No. 12, 2195–2201 (1996). V. A. Chaldyshev, Fiz. Tekh. Poluprovodn.Ibid., 32, No. 9, 1094–1099 (1998). V. A. Chaldyshev, Fiz. Tekh. Poluprovodn.Ibid., 35, No. 1, 84–88 (2001).