Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh hưởng của các phương pháp xử lý bề mặt đến việc lắng đọng Silicon Dioxide ở nhiệt độ thấp trên nền Cadmium Telluride.
Tóm tắt
Chúng tôi đã thành công trong việc lắng đọng các lớp mỏng SiO2 trên nền cadmium telluride ở nhiệt độ thấp (Ts = 100°C–300°C) bằng phương pháp lắng đọng hóa hơi hóa học tăng cường plasma từ xa (Remote PECVD). Oxit tự nhiên trên nền CdTe đã được loại bỏ trước khi lắng đọng bằng cách hóa học trong methanol và 1% brom hoặc bằng cách hòa tan trong nước khử ion. Sau khi loại bỏ oxit tự nhiên, CdTe đã được đưa vào buồng lắng đọng tương thích áp suất cực thấp (UHV) và một quá trình xử lý plasma He+ đã được thực hiện trước khi lắng đọng lớp film SiO2. Quá trình này thúc đẩy sự bám dính mạnh mẽ giữa lớp film SiO2 lắng đọng và bề mặt CdTe. Chúng tôi nhận thấy quy trình loại bỏ oxit ban đầu không ảnh hưởng đến độ bám dính của SiO2. Ảnh hưởng của quá trình xử lý plasma He+ trên bề mặt CdTe đã được nghiên cứu bằng quang phổ điện tử Auger (AES) và phổ tán xạ điện tử năng lượng cao (RHEED).
Từ khóa
#Materials Science #general #Characterization and Evaluation of Materials #Nanotechnology #Inorganic Chemistry #Materials Engineering #Applied and Technical PhysicsTài liệu tham khảo
G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A3, 346 (1985).
J. A. Wilson.V.A. Cotton, J.A. Silberman, D.Laser, W.E. Spicer, P. Morgan, J. Vac. Sci.Technol. A1(3), July/Sept. 1719, 1983.
W. E. Spicer, J.A. Silberman, I. Lindau, A.B. Chen, A. Sher, J.A. Wilson, J. Vac. Sci. Technol. A1(3),.1735, 1983
B. K. Janousek, R. C. Carscallen and P. A. Bertrand, J. Vac. Sci Technol. A1(3), Jul/Sept., 1723, 1983.
S.S. Choi, G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol., B6(4), Jul/Aug., 1988
J. P. Haering, J. G. Werthen, R.H. Bube, L. Gulbrandsen, W. Jansen, and P. Luscher, J. Vac. Sci. Technol. A1(3), 1469, Jul/Sept. 1983.
A.J. Ricco, H.S. White, M.S. Wrighton, J. Vac. Sci. Technol. A2(2), 1984.
J.A. Silberman, D. Laser, I. Lindau, W.E. Spicer, and J.A.Wilson, J. Vac. Sci. Technol. A1(3), 1706, July/Sept. 1983
S.S. Kim and G. Lucovsky, presented at International Topical Conference on Hydrogenated Amorphous Silicon Devices and Technology, 21–23 Nov 1988, Yorktown Heights, New York, U.S.A.
U. Solzbach and H.J. richter, 191–205, Surf. Sci. 97(1980)
J. D. Benson, B. K. Wagner, A. Torabi, C.J. Summers, Appl.. Phys. Lett. 49(16), 20 Oct. 1986
L.A. Kolodzieijsky, R.L. Guhshor, N. Otsuka, X.C. zhang, S.K. Chang, A.V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 47(8), 15 Oct. 1985
D.M. Mattox, “Thin Film Adhesion and Adhesive Failure - A Perspective,” in “Adhesion Measurements of Thin film, Thick Films, and Bulk Coatings.” edited by K.L. Mittal, a symposium by American Society for Testing and Materials Philadelphia, Pa., 2–4, Nov. 1976.
Donald H. Buckley, Chapet 1, 5 (Adhesion) in “Surface Effects in Adhesion, Friction, Wear, and Lubrication,” Elsevier Scientific Publishing Company, 1981
V.F. Kiselev and O.V. krylov, Chapter 5, “Excited States in Adsorption and Catalysis,” in Adsoption Processes on Semiconductor and Dielectric Surfaces I, Spinger-Verlag, Chemical Physics Series 32
R.G. Musket, 423–436, Surf. Sci. 74(1978)