Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc Trưng Hóa Vật Liệu CdS Được Lắng Đọng Bằng Phương Pháp Tắm Hóa Học Trên Các Chất Chạy Đơn Tinh Thể InP
Tóm tắt
Chúng tôi đã nghiên cứu các màng mỏng CdS như là những lớp cửa sổ thụ động khả thi cho InP. Các màng này được lắng đọng trên InP đơn tinh thể bằng phương pháp lắng đọng tắm hóa học (CBD). Độ dày của màng, được xác định quang học bằng phương pháp ellipsometry, thay đổi từ 500 đến 840Å. Đặc điểm hình thái của màng được nghiên cứu bằng kính hiển vi điện tử quét có độ phân giải cao (SEM), trong khi đó vi cấu trúc của màng được khảo sát bằng nhiễu xạ tia X (XRD) và kính hiển vi điện tử truyền qua cắt ngang (TEM). Hầu hết các màng đều là CdS poly tinh thể hạt mịn, với một số điều kiện lắng đọng dẫn đến sự phát triển epitaxy. Kiểm tra TEM cắt ngang cho thấy sự hiện diện của các chất ô nhiễm ở giao diện. Tác động của các chất ô nhiễm này đối với hình thái và vi cấu trúc của màng đã được nghiên cứu, và nhiều phương pháp làm sạch/xử lý bề mặt InP đã được điều tra. Các màng epitaxy được xác định có cấu trúc hình lục giác trên cả hai nền tảng InP (111) và (100); tuy nhiên, chúng có nhiều lỗi.
Từ khóa
#CdS #InP #màng mỏng #lắng đọng tắm hóa học #kính hiển vi điện tử quét #nhiễu xạ tia X #kính hiển vi điện tử truyền quaTài liệu tham khảo
R. L. Basak, S. Chaudhuri, and A. K. Pal, J. Mater. Sci. Let. 7 (10), p. 1048–1049 (1988), and References within.
D. Bhattacharyya and M. J. Carter, Thin Solid Films 288, p. 176–181 (1996).
I. O. Oladeji and L. Chow, J. Electrochem. Soc. 7 (144), p. 2342–2346 (1997).
J. Webb, D. Rose, D. Niles, A. Swartzlander, and M. M. Al-Jassim (Proc. 26th IEEE Photovoltaics Specialists Conf., Anaheim, CA, 1997), to be published.
A. Kylner, A. Rockett, and L. Stolt, Solid State Phenomena 51-52, p. 533–540 (1996).
K. Vaccaro, H. Dauplaise, A. Davis, S. Spaziani, and J. Lorenzo, Appl. Phys. Lett. 24 (4), p.527–529 (1995).
J. Y. Choi, K. Kim, and D. Kim (Proc. 26th IEEE Photovoltaics Specialists Conf., Anaheim, CA, 1997), to be published.
D. Gallet and G. Hollinger, Appl. Phys. Lett. 982, p.62 (1993).
K. Vaccaro, A. Davis, H. Dauplaise, S. Spaziani, E. Martin, and J. Lorenzo, J. Elect. Mat. 25 (4), p. 603–609 (1996).
O. Vigil, I. Riech, M. Garcia-Rocha, and O. Zelaya-Angel, J. Vac. Sci. Tech. A 15 (4), p. 2282–2286 (1997).
D. Lincot, B. Mokili, M. Froment, R. Cortes, C. Bernard, C. Witz, and J. Lafait, J. Phys. Chem. B 101, p. 2174–2181 (1997).
F.S. Hasoon, M.M. Al-Jassim, A. Swartzlander, P. Sheldon, A.A.J. AI-Douri, and A.A. Alnajjar (Proc. 26th IEEE Photovoltaics Specialists Conf., Anaheim, CA, 1997), to be published.
S. D. Walck and J. P. McCaffrey, The Small Angle Cleavage Technique: An Update, (Poster at Microscopy Society of America Conference, Cleveland, Ohio, August 1997.)