Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phát xạ xung Terahertz từ bề mặt (311) cấu trúc nano của GaAs
Tóm tắt
Trong công trình này, sự phụ thuộc theo góc azimuth của việc phát xạ xung terahertz (THz) từ các mặt phẳng (311) có đối xứng thấp của mẫu GaAs xốp đã được nghiên cứu. Các lớp GaAs xốp được chuẩn bị bằng phương pháp ăn mòn điện hóa anod pulsed trên các wafer GaAs loại n (311) trong dung dịch điện giải axit fluoride-iodide trộn lẫn. Đã phát hiện ra rằng việc ăn mòn điện hóa anod của mẫu GaAs đã làm tăng đáng kể khả năng phát xạ bức xạ terahertz của nó. Đã được chứng minh về mặt lý thuyết rằng đối với mặt tinh thể này, sự đóng góp của cả hai hiệu ứng chỉnh nắn quang (OR) và chỉnh nắn quang do trường điện gây ra (EFIOR) được đặc trưng bởi những phụ thuộc góc azimuth khác nhau. Các phép đo thực nghiệm đã được so sánh với các tính toán lý thuyết về các phụ thuộc theo góc azimuth; đã được chỉ ra rằng cả hai hiệu ứng quang phi tuyến đều cần được xem xét khi giải thích các quan sát thực nghiệm.
Từ khóa
#bức xạ terahertz #hiệu ứng chỉnh nắn quang #ăn mòn điện hóa anod #GaAs xốp #nghiên cứu bán dẫnTài liệu tham khảo
M. Reid, I. V. Cravetchi, R. Fedosejevs, I. M. Tiginyanu, L. Sirbu, Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 024904
H. Ahn, Y. P. Ku, Y. C. Wang, C. H. Chuang, S. Gwo, C. L. Pan, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 132108
S. He, X. Chen, X. Wu, G. Wang, F. Zhao, Journal of Lightwave Technology 26 (2008) 1519
P. Hoyer, M. Theur, R. Beigang, E. B. Kley, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 091106
G. B. Jung, Y. J. Cho, Y. Myung, H. S. Kim, Y. S. Seo, J. Park, C. Kang, Optics Express 18 (2010) 16353
D. V. Seletskiy, M. P. Hasselbeck, J. G. Cederberg, A. Katzenmeyer, M. E. Toimil-Molares, F. Leonard, A. A. Talin, M. Sheik-Bahae, Phys. Rev. B 84 (2011) 115421
T. V. Shubina, A. V. Adrianov et al., Appl. Phys Lett. 96 (2010) 183106
V. L. Malevich, A. Krotkus, A, Bičiūnas, V. Pačebutas, J. Appl. Phys 104 (2008) 113117
K. Radhanpura, S. Hargreaves, R. A. Lewis, M. Henini, Appl. Phys Lett. 94 (2009) 251115