Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc tính cường độ kéo của màng ba lớp Ni/Cu/(001)Ni
Tóm tắt
Đặc tính cường độ kéo của các màng ba lớp Ni/Cu/(001)Ni và các màng tinh thể đơn (00l)Cu và (00l)Ni đã được nghiên cứu. Các màng mẫu có độ dày từ 50 đến 500 nm được chế tạo bằng phương pháp bốc hơi epitaxy trên nền (001)NaCl. Đường cong ứng suất-biến dạng của các thử nghiệm kéo theo phương [100] của màng ba lớp Ni/Cu/(001)Ni gần như là tuyến tính cho đến khi gãy, cho thấy biến dạng dẻo cực kỳ nhỏ. Các ứng suất giới hạn của các mẫu này nằm trong khoảng 600 đến 700 MPa không phụ thuộc vào độ dày lớp, cao gấp 2.5 đến 5 lần so với các màng tinh thể đơn Ni hoặc Cu, và cũng cao hơn các giá trị được đưa ra bởi quy tắc trộn cho các màng tinh thể đơn Ni và Cu. Sự gia tăng ứng suất giới hạn được đánh giá từ lực đẩy tác động lên các dislocation di động xuất phát từ các trường ứng suất của các dãy dislocation không vừa khớp tại giao diện Ni-Cu.
Từ khóa
#cường độ kéo #màng ba lớp #Ni/Cu #màng tinh thể đơn #ứng suất giới hạnTài liệu tham khảo
J.S. Koehler:Phys. Rev., 1970, vol. B2, pp. 547–51.
C. A. O. Henning, F.W. Boswell, and J.M. Corbett:Acta Metall., 1975, vol. 23, pp. 193–97.
R.F. Bunshah, R. Niramagadda, H.J. Doerr, B.A. Movchan, N. I. Grechanuk, and E. V. Dabizha:Thin Solid Films, 1980, vol. 72, pp. 261–75.
S. L. Lehoczky:J. Appl. Phys., 1978, vol. 49, pp. 5479–85.
R.W. Springer and D.S. Catlett:Thin Solid Films, 1978, vol. 54, pp. 197–205.
T. S. Kuan and M. Murakami:Metall. Trans. A, 1982, vol. 13A, pp. 383–91.
M. Murakami and C. M. Serrano:J. Appl. Phys., 1982, vol. 53, pp. 326–36.
K. Yoshii, T. Yanai, M. Umeno, and H. Kawabe:Proc. 22nd Japan Cong. Materials Research, Kyoto, The Society of Materials Science, ed., 1979, pp. 315–19.
K. Yoshii, H. Takagi, M. Umeno, and H. Kawabe:J. Phys. E: Sci. Instrum., 1983, vol. 16, pp. 127–30.
S. Ino, D. Watanabe, and S. Ogawa:J. Phys. Soc. Japan, 1962, vol. 17, pp. 1074–75, 1964, vol. 19, pp. 881–91.
K. Yoshii, H. Takagi, S. Inoue, M. Umeno, and H. Kawabe:Proc. 7th Int. Conf. on High Voltage Electron Microscopy, Berkeley, R. M. Fisher, R. Gronsky, and K.H. Westmacott, eds., Lawrence Berkeley Laboratory, University of California, 1983, pp. 401–04.
J.W. Matthews:Phil. Mag., 1966, vol. 13, pp. 1207–21.
J.W. Matthews:Thin Solid Films, 1972, vol. 12, pp. 243–46.
K. Shinohara:Thin Solid Films, 1973, vol. 16, pp. 345–56.
K. Takayanagi, K. Kobayashi, K. Yagi, and G. Honjo:Thin Solid Films, 1974, vol. 21, pp. 325–39.
J. W. Menter and D. W. Pashley:Proc. Int. Conf. on the Structure and Properties of Thin Films, C. A. Neugebauer, J. B. Newkirk, and D.A. Vermilyea, eds., John Wiley & Sons, New York, NY, 1959, pp. 111–50.
H.B. Huntington:Solid State Phys., 1958, vol. 7, pp. 213–351.
A. Neugebauer:J. Appl. Phys., 1960, vol. 31, pp. 1096–1101.
A. O. Henning, F.W. Boswell, and J. M. Corbett:Acta Metall., 1975, vol. 23, pp. 177–85.
C. A. O. Henning, F.W. Boswell, and J.M. Corbett:Acta Metall., 1975, vol. 23, pp. 187–92.
J.H. van der Merwe:J. Appl. Phys., 1963, vol. 34, pp. 117–22, pp. 123–27.
J. S. Vermaak and J. H. van der Merwe:Phil. Mag., 1965, vol. 12, pp. 453–65.
A. Head:Phil. Mag., 1953, vol. 44, pp. 92–94.