Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Vật liệu quang phi tuyến hoạt động ở nhiệt độ dựa trên Tl4HgI6
Tóm tắt
Trong nghiên cứu này, chúng tôi báo cáo về tổng hợp và các đặc điểm quang phi tuyến của các vật liệu mới hoạt động ở nhiệt độ dựa trên tinh thể đơn Tl4HgI6. Các đặc tính quang phi tuyến, nhiệt lượng quang vi sai (DSC) và cơ học của các tinh thể được đề cập được nghiên cứu trong khoảng nhiệt độ 300–500 K. Chúng tôi đã xác định rằng tinh thể đơn Tl4HgI6 cho thấy cả hệ số giãn nở tuyến tính dương và âm. Khu vực nhiệt độ với hệ số giãn nở tuyến tính giảm nhanh rất nhỏ (chỉ 2°–5°), điều này tương ứng với sự xuất hiện của chuyển đổi cấu trúc của tinh thể Tl4HgI6. So sánh giữa phụ thuộc nhiệt độ của sự phát sinh hài bậc hai quang học do ánh sáng kích thích đối với bước sóng cơ bản 5.5 μm được thực hiện. Chúng tôi trình bày một giải thích cho sự chuyển pha cấu trúc của tinh thể Tl4HgI6, xem xét sự thay đổi nhiệt độ của các tham số mạng tinh thể và mô tả quá trình chuyển từ pha trung tâm đối xứng P4/mnc, ở nhiệt độ môi trường sang pha không trung tâm P4nc tại T > 458 K. Các thay đổi do ánh sáng kích thích chỉ ra khả năng xảy ra pha không trung tâm trung gian. Phân tích cụ thể được thực hiện để liên quan đến độ phụ thuộc nhiệt độ của DSC trong cùng một khoảng nhiệt độ. Các cơ chế vật lý chịu trách nhiệm cho sự quan sát của các độ phụ thuộc được đưa ra và chúng dựa trên sự ngưng tụ của các chế độ phonon mềm có liên quan chặt chẽ với sự tương tác electron-phonon phi điều hòa chịu trách nhiệm cho những hiệu ứng này.
Từ khóa
#Tl4HgI6 #tinh thể đơn #quang phi tuyến #nhiệt lượng quang vi sai #chuyển đổi pha cấu trúc #phát sinh hài bậc hai quang họcTài liệu tham khảo
J. Singh, Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures (Cambridge Univeristy Press, New York, 2003)
Y.O. Dovgii, I.V. Kityk, Phys. Semicond. 25, 1108–1111 (1991)
S.-W. Hung, P.-H. Yeh, L.-W. Chu, C.-D. Chen, L.-J. Chou, Y.-J. Wu, L.-J. Chen, J. Mater. Chem. 21, 5704–5709 (2011)
A.H. Reshak, S. Auluck, M. Piasecki, G.L. Myronchuk, O. Parasyuk, I.V. Kityk, H. Kamarudin, Spectrochim. Acta-A 93, 274–279 (2012)
Y.O. Dovgii, I.V. Kityk, Phys. Stat. Sol. B 166, 395–402 (1991)
S. Levcenco, D.O. Dumcenco, Y.P. Wang, J.D. Wu, Y.S. Huang, E. Arushanov, V. Tezlevan, K.K. Tiong, Opt. Mater. 34, 1072–1076 (2012)
V.V. Bozhko, L.V. Bulatetska, G.Y. Davydyuk, O.V. Parasyuk, A.P. Tretyak, N. Vainorius, V. Kažukauskas, J. Cryst. Growth 330, 5–8 (2011)
O.I. Shpotyuk, J. Kasperczyk, I.V. Kityk, J. Non-Cryst. Solids 215, 218–225 (1997)
J.W. Lekse, M.A. Moreau, K.L. McNerny, J. Yeon, P.S. Halasyamani, J.A. Aitken, Inorg. Chem. 48, 7516–7518 (2009)
M.S. Nawaz, Rafiuddin, Ionics 13, 35–40 (2007)
K.I. Avdienko, D.V. Badikov, V.V. Badikov, V.I. Chizhikov, V.L. Panyutin, G.S. Shevyrdyaeva, S.I. Scherbakov, E.S. Scherbakova, Opt. Mater. 23, 569–573 (2003)
V. Franiv, V. Dzikovskyy, M. Batryn, Growing and Some Physical Properties of Tl4HgI6 and Tl4CdI6 Crystals, in International Conference for Students and Young Researchers in Theoretical and Experimental Physics, “Eureka-2009”, 20–22 May 2009
H.J. Berthold, D. Haas, R. Tamme, Z. Anorgan, Allg. Chem. 456, 29–40 (1979)
J. Huart, A. Durif, Structure de Tl4HgI6. CR Acad. Allg. Paris 257, 657 (1963)
SRM 640b: Silicon Powder 2θ/d-Spacing Standard for X-ray Diffraction, National Institute of Standards and Technology, US Department of Commerce, Gaithersburg, MD, 1987
SRM 676: Alumina Internal Standard for Quantitative Analysis by X-ray Powder Diffraction, National Institute of Standards and Technology, US Department of Commerce, Gaithersburg, MD, 2005
STOE WinXPOW, Version 3.03, Stoe & Cie GmbH, Darmstadt, Germany, 2010
I. Fraga, S. Montserrat, J.M. Hutchinson, J. Therm. Anal. Calorim. 87, 119–124 (2007)
D.F. McMorrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys, J. Phys, Condens. Matter 2, 3699 (1990)
I.V. Kityk, J. Phys. Chem. B 107, 10083–10087 (2003)
K. Ozga, J. Ebothe, H.N. Cong, D. Martel, W. Gruhn, J. Pisarek, I.V. Kityk, Int. J. Mod. Phys. B 24, 937–942 (2010)
I.V. Kityk, J. Mod. Opt. 51, 1179–1189 (2004)
M.K. Balakirev, V.A. Smirnov, L.I. Vostrikova, I.V. Kityk, J. Kasperczyk, W. Gruhn, J. Mod. Opt. 50, 1237–1244 (2003)
L.R.P. Kassab, R.A. de Pinto, R.A. Kobayashi, M. Piasecki, P. Bragiel, I.V. Kityk, J. Phys. D Appl. Phys. 40, 1642 (2007)
R.L. Ammlung, D.F. Shriver, M. Kamimoto, D.H. Whitmore, J. Solid State Chem. 21, 185–193 (1977)
R.L. Ammlung, R.P. Scaringe, J.A. Ibers, D.F. Shriver, D.H. Whitmore, J. Solid State Chem. 29, 401–415 (1979)
D.V. Badikov, V.V. Badikov, G.M. Kuz’micheva, V.L. Panyutin, V.B. Rybakov, V.I. Chizhikov, G.S. Shevyrdyaeva, E.S. Shcherbakova, Growth and X-ray diffraction study of Tl4HgI6 crystals. Neorg. Mater. 40, 372–379 (2004)
R. Miedzinski, J. Ebothe, I. Fuks-Janczarek, I.V. Kityk, A. Majchrowski, R. Weglowski, S.J. Klosowicz, Optically induced changes of absorption in polymer-dispersed liquid crystals doped with inorganic nanocrystals. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 21, 659–665 (2010)
J. Ebothe, W. Imiolek, K.J. Plucinski, D. Hui, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 19, 233 (2008)