Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Các phép đo Hall phụ thuộc nhiệt độ trên phim mỏng PLD
Tóm tắt
Các tính chất điện của các lớp mỏng ZnO epitaxy được trồng trên nền sapphire bằng phương pháp lắng đọng laser xung đã được nghiên cứu thông qua các phép đo Hall phụ thuộc nhiệt độ. Các lớp mỏng được nghiên cứu được trồng ở các áp suất riêng phần oxy khác nhau, từ 10-2 mbar đến 1 mbar. Sự hình thành một lớp suy biến, xác định dữ liệu Hall ở nhiệt độ thấp, phụ thuộc vào áp suất riêng phần oxy áp dụng trong quá trình trồng. Hơn nữa, sự hình thành của một lớp như vậy có thể liên quan đến kích thước hạt của các mẫu. Năng lượng kích hoạt nhiệt của các chất cho chiếm ưu thế giảm xu hướng với việc tăng áp suất riêng phần oxy p(O2); năng lượng này khoảng 100 meV cho p(O2) ≤ 3 × 10-2 mbar và khoảng 30 meV cho p(O2) ≥ 0.1 mbar. Nồng độ của các chất cho và các chất chấp nhận bù tăng lên khi p(O2) tăng.
Từ khóa
#ZnO #phim mỏng #Hall #lắng đọng laser xung #áp suất oxyTài liệu tham khảo
D.C. Look, Materials Science and Engineering B80, 383 (2001).
O. Schmidt, A. Geis, P. Kiesel, C.G. Van de Walle, N.M. Johnson, A. Bakin, A. Waag, G.H. Döhler, Superlattices and Microstructures 39, 8 (2005).
D.C. Look, H.L. Mosbacker, Y.M. Strzhemechny, L.J. Brillson, Superlattices and Microstructures 38, 406 (2005).
D. C. Look, R. L. Jones, J. R. Sizelove, N. Y. Garces, N. C. Giles, and L. E. Halliburton, phys. stat. sol. (a) 195, 171 (2003).
D. C. Reynolds, C. W. Litton, D. C. Look, J. E. Hoelscher, B. Claflin, T. C. Collins, J. Nause, and B. Nemeth, J. Appl. Phys. 95, 4802 (2004).
H. Tampo, A. Yamada, P. Fons, H. Shibata, K. Matsubara, K. Iwata, and S. Niki, K. Nakahara and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 84, 4412 (2004).
Y.M. Strzhemechny, H. L. Mosbacker, D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, N.Y. Garces, N.C. Giles, L.E. Halliburton, S. Niki, and L.J. Brillson Appl. Phys. Lett. 84, 2545 (2004).
D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
R. L. Petritz, Phys. Rev. 104, 1508 (1956), J. W. Orton and M. J. Powell, Reports on Progress in Physics 43, 1263 (1980).
K. Seeger, Semiconductor Physics (Springer-Verlag, Berlin, 1999), chapter 6.
F. D. Auret, S. A. Goodman, M. J. Legodi, W. E. Meyer, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1340 (2002).
F. Tuomisto, K. Saarinen, D. C. Look, and G. C. Farlow, Phys. Rev. B 72, 085206 (2005).
A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222 (1957).