Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu TOF-SIMS và FT-IR về bề mặt silicon wafer đã được biến đổi — silicon xốp
Tóm tắt
Quá trình biến đổi bề mặt của các tấm silicon bằng cách etching anod trong axit hydrofluoric dẫn đến sự hình thành các lớp silicon xốp bao gồm các tinh thể nano được phủ bởi liên kết SiH. Một sự kết hợp giữa Kính quang khối lượng Ion thứ cấp theo thời gian bay (TOF-SIMS) và Kính quang hồng ngoại biến đổi Fourier (FT-IR) đã được sử dụng để nghiên cứu hóa học bề mặt của vật liệu mới này.
Từ khóa
#silicon #bề mặt #silicon xốp #etching anod #TOF-SIMS #FT-IRTài liệu tham khảo
Canham LT (1990) Appl Phys Lett 57:1046
Nichuis E, Heller T, Feld H, Benninghoven A (1987) J Vac Sci Technol A5:1243
Zybill C, Petrova-Koch V (1993) Angew Chem 105:887
Chabal YJ et al (1989) J Vac Sci Technol A7:2104
Shimura F, Ling L, Kuwabara S, Abe T (1993) J Appl Phys 73:3018