Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tổng hợp các cấu trúc nano không đồng nhất ZnO/Co3O4 bằng phương pháp lắng đọng hóa học từ dung dịch
Tóm tắt
Oxit cobalt nanocristalline Co3O4 và hợp chất ZnO/Co3O4 được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng hóa học từ dung dịch, tiếp theo là quá trình nung nhiệt. Kết quả cho thấy sự có mặt của các hạt oxit kẽm trong quá trình tổng hợp đã thay đổi đáng kể cơ chế phát triển của các carbonate cobalt, dẫn đến sự thay đổi trong thành phần pha, hình thái, và tính chất của vật liệu. Độ dẫn điện của các lớp dẫn hình thành từ hợp chất ZnO/Co3O4 thấp hơn ba bậc so với độ dẫn của các lớp Co3O4, và cảm biến khí hợp chất ZnO/Co3O4 cho thấy độ nhạy khí cao hơn nhiều so với các cảm biến oxit cobalt điều khiển.
Từ khóa
#ZnO/Co3O4 #oxit cobalt #lắng đọng hóa học #tính chất vật liệu #cảm biến khí.Tài liệu tham khảo
P. T. Babar, A. C. Lokhande, B. S. Pawar, M. G. Gang, E. Jo, Ch. Go, M. P. Suryawanshi, S. M. Pawar, and J. H. Kim, Appl. Surf. Sci. 427, 253 (2018).
L. Girardi, L. Bardini, N. Michieli, B. Kalinic, C. Maurizio, G. A. Rizzi, and G. Mattei, Surfaces 2, 41 (2019).
S. Wang, R. Wang, J. Chang, N. Hu, and C. Xu, Sci. Rep. 8 (1), 3182 (2018). https://doi.org/10.1038/s41598-018-21436-4
R. Wang, Y. Sui, S. Huang, Y. Pu, and P. Cao, Chem. Eng. J. 331, 527 (2018).
R. B. Vasiliev, L. I. Ryabova, M. N. Rumyantseva, and A. M. Gaskov, Russ. Chem. Rev. 73 (10), 939 (2004).
J. M. Xu and J. P. Cheng, J. Alloys Compd. 686, 753 (2016).
S. Vladimirova, V. Krivetskiy, M. Rumyantseva, A. Gaskov, N. Mordvinova, O. Lebedev, M. Martyshov, and P. Forsh, Sensors 17 (10), 2216 (2017).
Z. Li, Z. Lin, N. Wang, J. Wang, W. Liu, K. Sun, Y. Q. Fu, and Z. Wang, Sens. Actuators, B 235, 222 (2016).
B. Li, J. Liu, Q. Liu, R. Chen, H. Zhang, J. Yu, D. Song, J. Lia, M. Zhang, and J. Wang, Appl. Surf. Sci. 475, 700 (2019).
X. Gao, F. Li, R. Wang, and T. Zhang, Sens. Actuators, B 258, 1230 (2018).
A. Fort, E. Panzardi, V. Vignoli, M. Hjiri, M. S. Aida, M. Mugnaini, and T. Addabbo, Sensors 19 (4), 760 (2019). https://doi.org/10.3390/s19040760
D. Bekermann, A. Gasparotto, D. Barreca, C. Maccato, E. Comini, C. Sada, and G. Sberveglieri, ACS Appl. Mater. Interfaces 4, 928 (2012).
N. Han, G. Pan, J. Zheng, R. Wang, and Y. Wang, Mater. Res. 22 (3), e20180689 (2019). https://doi.org/10.1590/1980-5373-MR-2018-0689
Y. Xiong, W. Xu, Z. Zhu, Q. Xue, W. Lu, D. Ding, and L. Zhu, Sens. Actuators, B 253, 523 (2017).
L. Zhu and W. Zeng, Sens. Actuators, A 267, 242 (2017).
M. Rumyantseva, A. Nasriddinov, V. Krivetskiy, and A. Gaskov, Proceedings 14 (1), 37 (2019). https://doi.org/10.3390/proceedings2019014037
T. Zhou, W. Gao, Q. Wang, and A. Umar, Materials 11, 207 (2018).
P. Bhojane, A. Le Bail, and P.M. Shirage, Acta Crystallogr., Sect. C: Struct. Chem. 75, 61 (2019).
N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, I. V. Sinev, A. A. Khazanov, A. V. Smirnov, and I. V. Lapshin, Tech. Phys. Lett. 43 (12), 1124 (2017).