Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tổng hợp các điểm lượng tử CdS và CdS được bao phủ bằng TGA từ các tiền chất Cd khác nhau
Tóm tắt
Công trình này tập trung vào việc tổng hợp và đặc trưng hóa các điểm lượng tử CdS ổn định được bao phủ bởi TGA, sử dụng các tiền chất Cd khác nhau. Các điểm lượng tử cho thấy hiện tượng dịch xanh với một đỉnh phụ tại 400 nm và năng lượng băng thông khoảng 3.30 eV. Hình ảnh HRTEM của các điểm lượng tử được bao phủ cho thấy hình dạng cầu với cấu trúc lập phương tâm mặt, trong khi các điểm lượng tử không được bao phủ cho thấy sự kết tụ đáng kể. Các mẫu XRD xác nhận cấu trúc tinh thể của các vật liệu nano kích thước 5 nm này theo các mặt phẳng đặc trưng của chúng (1 1 1), (2 2 0) và (3 1 1). Phân tích FTIR xác nhận sự chức năng hóa của các điểm lượng tử CdS với TGA qua sự vắng mặt của đỉnh kéo dài S–H. Tỷ lệ phần trăm nguyên tử của cadmium và lưu huỳnh trong các điểm lượng tử CdS và CdS được bao phủ bởi TGA đã được xác nhận qua quang phổ EDX.
Từ khóa
#CdS #TGA #điểm lượng tử #tổng hợp #phân tích HRTEM #XRD #FTIR #EDXTài liệu tham khảo
I. Kokina, I. Jahundovica, I. Mickevica, E. Sledevskis, A. Ogurcovs, B. Polyakov, M. Jermalonoka, J. Strautins, V. Gerbreders, Plants J. Nanometer. (2015). https://doi.org/10.1155/2015/470250
A. Sankhla, D. Kashyap, S.L. Kothari, S. Kachhwaha, Mater. Chem. Phys. (2015). https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2015.12.017
E. Chaparro, S. Bailón-Ruiz, MRS Adv. 5(43), 1–9 (2020). https://doi.org/10.1557/adv.2020.260
J. Luciano, Y. Xin, Y. Su., C. Quiles, S. Cruz, G. Torres, J. Rivera, S. Bailón-Ruiz, MRS Adv. (2021) https://doi.org/10.1557/s43580-021-00035-y.
D. Mo, L. Hu, G. Zeng, G. Chen, J. Wan, Z. Yu, Z. Huang, K. He, C. Zhang, M. Cheng, Appl. Microbiol. Biotechnol. (2017). https://doi.org/10.1007/s00253-017-8140-9
A. Ealias, M. Saravanakumar, Mater. Sci. Eng. 263, 1–15 (2017). https://doi.org/10.1088/1757-899X/263/3/032019
D. Patidar, K.S. Rathore, N.S. Saxena, K. Sharma, T.P. Sharma, J. Nano. Res. 3, 97–102 (2008)
Z. Tavakoli, M. Seifi, Mater. Res. Express. 4(10), 105007 (2017). https://doi.org/10.1088/2053-1591/aa8a8a
R.A. Devi, M. Latha, S. Velumani, G. Oza, P. Reyes, M. Rohini, I.G. Becerril, J. Lee, J. Yi, J. Nanosci. Nanotechnol. 15(11), 8434–8439 (2015). https://doi.org/10.1166/jnn.2015.11472
S.K. Haram, B.M. Quinn, A.J. Bard, J. Am. Chem. Soc. 123, 8860–8861 (2001)
Y. Jian-Xi, X. Gao-Ling, H. Gao-Rong, Microelectron. Eng. 66(1–4), 115–120 (2003). https://doi.org/10.1016/S0167-9317(03)00034-0
D. Ayodhya, M. Venkatesham, A. Santoshi-Kumari, G. Bhagavanth-Reddy, G. Veerabhadram, Int. J. Ind. Chem. 6, 261–271 (2015). https://doi.org/10.1007/s40090-015-0047-7
R. Tiwari, V. Dubey, R. Kumar-Tamrakar, IJIET. 3(3), 67–74 (2013)
L. Li, Y. Cheng, Y. Ding, Y. Lu, F. Zhang, Anal. Methods. 4, 4213–4219 (2012). https://doi.org/10.1039/c2ay26002f