Tổng hợp, tích hợp và đặc tính điện của từng ống nano carbon đơn tường

Applied Physics A Solids and Surfaces - Tập 69 Số 3 - Trang 305-308 - 1999
Kong, J.1, Zhou, C.1, Morpurgo, A.2, Soh, H.T.3, Quate, C.F.3, Marcus, C.2, Dai, H.1
1Department of Chemistry, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA (Fax: +1-650/725-0259, E-mail: [email protected]), , US
2Department of Physics, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA, , US
3E.L. Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA, , US

Tóm tắt

Các ống nano carbon đơn tường (SWNTs) chất lượng cao được tổng hợp bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) của metan trên các nền silicon dioxide tại các vị trí kiểm soát bằng cách sử dụng các đảo xúc tác có kiểu mẫu. Với các chip ống nano đã tổng hợp, các kỹ thuật vi chế tạo được sử dụng để tiếp xúc đáng tin cậy với từng SWNT và đạt được điện trở tiếp xúc thấp. Các phương pháp tổng hợp hóa học kết hợp với vi chế tạo cho phép hình thành đặc trưng có hệ thống về các thuộc tính vận chuyển điện tử của một số lượng lớn các SWNT riêng lẻ. Kết quả về các thuộc tính điện của các SWNT bán dẫn và kim loại đại diện được trình bày. Điện trở hai đầu thấp nhất cho các SWNT kim loại riêng lẻ (≈5 μm dài) là ≈16,5 kΩ được đo ở 4,2 K.

Từ khóa

#ống nano carbon đơn tường #tổng hợp hóa học #lắng đọng hơi hóa học (CVD) #điện trở tiếp xúc #thuộc tính điện

Thông tin
Thông tin xuất bản

Applied Physics A Solids and Surfaces

Tập 69 Số 3

305-308

Thông tin tác giả