Phân bố sóng âm bề mặt và tương tác quang-điện trong các kênh dẫn LiNbO3 được trao đổi proton

Springer Science and Business Media LLC - Tập 41 Số 3 - Trang 209-217 - 1993
Annachelvi, P1, Selvarajan, A1, Anand, G V1
1Department of Electrical Communication Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, India

Tóm tắt

Hiệu quả của tương tác quang-điện (AO) trong các kênh dẫn LiNbO3 được trao đổi proton (PE) cắt theo mặt phẳng YZ được phân tích lý thuyết bằng cách xác định sự chồng chéo giữa các phân bố trường quang học và trường âm thanh. Phân tích hiện tại xem xét sự phân bố trường SAW bị biến đổi do sự xuất hiện của lớp PE trên cơ sở LiNbO3, được xác định bởi phương pháp medium lớp nghiêm ngặt. Sự chồng chéo được phát hiện là đáng kể cho đến tần số âm thanh rất cao khoảng 5 GHz, trong khi trong phân tích trước đó của vonHelmolt và Schaffer [6] đối với các kênh dẫn khuếch tán, họ đã chỉ ra rằng tích chồng chéo giảm gần về không ở dải tần số cao này.

Từ khóa

#tương tác quang-điện #sóng âm bề mặt #kênh dẫn LiNbO3 #phân bố trường quang học #phân bố trường âm thanh

Tài liệu tham khảo

citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_author=J L Jackel, C E Rice, J J Veselka; citation_volume=41; citation_publication_date=1982; citation_pages=607-607; citation_doi=10.1063/1.93615; citation_id=CR1 citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_author=R A Becker; citation_volume=43; citation_publication_date=1983; citation_pages=131-131; citation_doi=10.1063/1.94280; citation_id=CR2 citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_author=M Miyawaki, S Ogura; citation_volume=47; citation_publication_date=1985; citation_pages=918-918; citation_doi=10.1063/1.95979; citation_id=CR3 citation_journal_title=Proc. SPIE; citation_author=M Varasi, A Vannucci, S Reid; citation_volume=1151; citation_publication_date=1989; citation_pages=457-457; citation_id=CR4 citation_journal_title=IEEE Trans. Ultrason., Ferroelect. Freq. Control.; citation_author=E M Biebl, P Russer; citation_volume=39; citation_publication_date=1992; citation_pages=330-330; citation_doi=10.1109/58.143166; citation_id=CR5 citation_journal_title=J. Opt. Commun.; citation_author=C H vonHelmolt, C Schaffer; citation_volume=8; citation_publication_date=1987; citation_pages=49-49; citation_id=CR6 citation_journal_title=J. Acoust. Soc. Am.; citation_author=A W Warner, M Onoe, G A Coquin; citation_volume=42; citation_publication_date=1967; citation_pages=1223-1223; citation_doi=10.1121/1.1910709; citation_id=CR7 citation_journal_title=IEEE Trans. Sonics, Ultrason, Ferroelect. Freq. Control; citation_author=G W Farnell; citation_volume=SU17; citation_publication_date=1970; citation_pages=229-229; citation_id=CR8 citation_title=Optical electronics; citation_publication_date=1989; citation_id=CR9; citation_author=A K Ghatak; citation_author=K Thyagarajan; citation_publisher=Cambridge University Press citation_journal_title=Proc. IEEE; citation_author=C S Tsai, M A Alhaider, L T Nguyen, B Kim; citation_volume=64; citation_publication_date=1976; citation_pages=318-318; citation_doi=10.1109/PROC.1976.10112; citation_id=CR10 citation_journal_title=Electron. Lett.; citation_author=S Mc Meekin, R M Rue; citation_volume=25; citation_publication_date=1989; citation_pages=853-853; citation_doi=10.1049/el:19890575; citation_id=CR11 citation_journal_title=IEEE J. Lightwave Technol.; citation_author=A Loni, G Hay, R M Rue, J M Winfield; citation_volume=7; citation_publication_date=1989; citation_pages=911-911; citation_doi=10.1109/50.32358; citation_id=CR12