Mô phỏng sự thư giãn bề mặt của nhôm bằng tiềm năng độ liên kết

Shigeto R. Nishitani1, Sadaichiro Ohgushi1, Hirohiko Adachi1, Masato Aoki2
1Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, #N#Kyoto, Japan
2Department of Electrical and Electronic Engineering, Gifu University, Gifu, Japan

Tóm tắt

Tóm tắtTiềm năng liên nguyên tử cho nhôm đã được phát triển dựa trên các xấp xỉ liên kết chặt chẽ (tight binding) theo kiểu thực nghiệm. Mô hình này đã tái hiện thành công các hệ số cắt, chênh lệch năng lượng cấu trúc, và các đường phân tán phonon. Tiềm năng có thể chuyển giao này đã được áp dụng cho các sự thư giãn bề mặt tĩnh, và cho thấy sự phù hợp tốt với các kết quả thí nghiệm về hành vi giảm dao động của các thư giãn đa lớp và sự giãn nở của bề mặt (111).

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Rous, 1995, Cohesion and Structure of Surface, 7

10.1080/01418639408240157

10.1142/2501

10.1103/PhysRevLett.63.2480

10.1088/0022-3719/21/1/007

Cressoni, 1991, J Phys: Condens. Matter, 3, 495

Turchi, 1998, Tight-Binding Approach to Computational Materials Science, 491

10.1007/BF02665820

Allan, 1983, J. Physique, 44, 1355

12. Robertson I. J. (private communications).

10.1016/S0081-1947(08)60503-2

Pettifor, 1995, Bonding and Structures of Molecules and Solids, 10.1093/oso/9780198517870.001.0001

Nishitani, 1999, Trans. Mater. Res. Soc., 24, 209

10.1007/BF02665809

10.1103/PhysRev.94.1498

Harrison, 1989, Electronic Structure and the Properties of Solids, 149

Papaconstantopoulos, 1986, Handbook of the band structure of elemental solids, 207

10.1103/PhysRevB.37.3924

10.1007/BF02646847

10.1179/000844375795049997

10.1080/14786436508211927

10.1103/PhysRevB.54.5940

10.2320/matertrans1989.40.1249

Alinaghian, 1993, J Phys: Condens. Matter., 5, 5795

10.1103/PhysRevB.59.8487