Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Khuếch Tán Bề Mặt Của Một Adatom Cation Trên Bề Mặt GaAs(001)-(2×4)
Tóm tắt
Chúng tôi báo cáo các tính toán đầu tiên không cần tham số về khuếch tán bề mặt của một adatom cation trên bề mặt GaAs(001)-(2×4) ổn định bằng As. Từ các tiềm năng di chuyển đã được tính toán của các adatom cation, chúng tôi nhận thấy rằng các vị trí cầu dài là vị trí hấp phụ thuận lợi nhất trên bề mặt GaAs(001)-(2×4) ở mật độ adatom thấp. Kết quả đã tính toán cho các hằng số khuếch tán bề mặt của adatom Ga cho thấy rằng khuếch tán adatom Ga là không đồng nhất trên bề mặt GaAs(001) đã tái tạo và rằng hướng khuếch tán nhanh nhất song song với các hàng tiệc tối thiếu As. Khuếch tán của adatom Al cho thấy có tính chất không đồng nhất tương tự như khuếch tán của adatom Ga, trong khi đương nhiên adatom Al khuếch tán chậm hơn nhiều lần so với adatom Ga ở cùng một hướng mặc dù khối lượng của Al nhẹ hơn. Bằng cách kết hợp các kết quả đã tính toán cho các hằng số khuếch tán và tiềm năng di chuyển, hành vi động lực học của các adatom cation trên bề mặt GaAs(001) được thể hiện qua các mô phỏng Monte Carlo ngẫu nhiên tại các nhiệt độ hữu hạn.
Từ khóa
#khuếch tán bề mặt #adatom cation #hằng số khuếch tán #tiềm năng di chuyển #mô phỏng Monte CarloTài liệu tham khảo
Y. Horikoshi, M. Kawashima, and H. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L868 (1986).
J. H. Neave, P. J. Dobson, B. A. Joyce, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 47, 100 (1985).
J. M. Van Hove and P. I. Cohen, J. Crystal Growth 81, 13 (1987).
T. Nishinaga, T. Shitara, K. Mochizuki, and K. I. Cho, J. Crystal Growth 99, 482 (1990).
K. Ohta, T. Kojima, and T. Nakagawa, J. Crystal Growth 95, 71 (1989).
P. E. Blöchl, C. G. Van de Walle, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 64, 1401 (1990).
G. Vineyard, J. Phys. Chem. Solids 3, 121 (1957).
M. P. Teter, M. C. Payne, and D. C. Allan, Phys. Rev. B40, 12255 (1989).
L. Kleinman and D. M. Bylander, Phys. Rev. Lett. 48, 1425 (1982).
T. Ohno, Phys. Rev. Lett. 70, 631 (1993).
J. Falta, R. M. Tromp, M. Copel, G. D. Pettit, and P. D. Kirchner, Phys. Rev. Lett, 69, 3068 (1992).
K. Shiraishi, T. Ito, and T. Ohno, Proc. 6th Int. Conf. Modulated Semicond. Structures, Garmisch-Partenkirchen 1993 (Solid State Electron) in press.
T. Ito, T. Ohno, and K. Shiraishi, Proc. 21st Int. Conf. Phys. Semicond., Beijing 1992 (World Scientific Publishing, Singapore) p.550.