Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ngăn chặn Phản ứng giữa Sân Chất Si và Các Nguyên Tử Fe Lắng Đọng Xiên
Tóm tắt
Chúng tôi đã nghiên cứu giai đoạn ban đầu của quá trình tăng trưởng của Fe lắng đọng xiên trên nền Si được giữ ở 470 °C bằng phương pháp kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) và quang phổ phản tán Rutherford độ phân giải cao (HRBS). Trong quá trình lắng đọng từ hướng pháp tuyến, nhiều nguyên tử Si bị dịch chuyển khỏi vị trí mạng tinh thể của chúng do phản ứng với Fe lắng đọng. Ngược lại, số lượng nguyên tử Si bị dịch chuyển giảm đáng kể, và các nano đảo có đường kính vài 10 nm phát triển chọn lọc khi Fe được lắng đọng ở góc 85°. Đây là bằng chứng rõ ràng cho thấy các quá trình hình thành nhân địa phương cho sự hình thành Fe silicide bị thay đổi bởi các điều kiện lắng đọng hình học.
Từ khóa
#Fe #Si #lắng đọng xiên #hình thành silicide #kính hiển vi lực nguyên tử #quang phổ phản tán RutherfordTài liệu tham khảo
K. Robbie, M. J. Brett, A. Lakhtakia, J. Vac. Sci Technol. A 13 (1995) 2991.
K. Robbie, L. J. Friedrich, S. K. Dew, T. Smy, M. J. Brett, J. Vac. Sci. Technol, A 13 (1995) 1032.
T. Karabacak, A. Mallikarjunan, J. P. Singh, D Ye, G. Wang, T. Lu, Appl. Phys. Lett., 83 (2003) 3096.
T. H. McDaniels, J. A. Venables, P. A. Bennett, Phys. Rev. Lett., 87 (2001) 176105–1.
A. Wohllebe, B. Hollander, S. Mesters, C. Dieker, G. Crecelius, W. Michelsen, S. Mantl, Thin Solid Films, 287 (1996) 93.
K. Miyake, Y. Makita, Y. Maeda, T. Suemasu, Thin Solid Films, 381 (2001) vii.
T. Urano, T. Ogawa, T. Kanji, J. Vac. Sci. Technol., A 5 (1987) 2046.
J.M. Gallego, R. Miranda, J. Appl. Phys. 69 (1991) 1377.
K. Konuma, J. Vrijmoeth, P.M. Zagwijn, J.W.M. Frenken, E. Vlieg, J.F. van der Veen, J. Appl. Phys. 73 (1993) 1104.
K. Kinoshita, R. Imaizumi, K.Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, Thin Solid Films 461 (2004) 131.
K. M. Geib, J. E. Mahan, R. G. Long, J. Appl. Phys. 70 (1991) 1730.
M. Tanaka, Y. Kumagai, T. Suemasu, F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997) 3620.
K. Kimura, M. Mannami, Nucl. Instrum. Methods, B 113 (1996) 270.
L.C. Feldman and J.W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis (North-Holland, Amsterdam, 1986).
M. Salamon, H. Hehrer, Philos, Mag. 79A (1999) 2137.