Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cân bằng pha dưới điểm nóng chảy trong phần nghèo PbO của hệ TiO2–PbO–SiO2 và ứng dụng của nó trong vật liệu điện môi phim dày ở nhiệt độ thấp
Tóm tắt
Các cân bằng dưới điểm nóng chảy trong phần nghèo PbO của sơ đồ TiO2–PbO–SiO2 đã được nghiên cứu với mục đích điều tra những ứng dụng khả thi cho các vật liệu điện môi phim dày ở nhiệt độ thấp. Các đường kết nối giữa PbTiO2 và PbSiO3, cũng như giữa PbTiO3 và SiO2. Kết quả cho thấy rằng TiO2, khi được thêm vào các loại kính có điểm mềm ở nhiệt độ thấp, phản ứng với PbO trong kính, từ đó hình thành PbTiO3. Các kết quả này đã được áp dụng cho một điện môi nung ở nhiệt độ thấp, bao gồm một loại kính giàu chì PbO–SiO2–B2O3 được làm đầy bằng bột TiO2. Sự chuyển đổi của TiO2 thành pha tinh thể PbTiO3 được quan sát thấy ở nhiệt độ nung trên khoảng 600 °C. Kinetics của phản ứng phụ thuộc vào kích thước hạt của TiO2.
Từ khóa
#cân bằng pha #TiO2 #PbO #SiO2 #điện môi phim dày #nhiệt độ thấpTài liệu tham khảo
M.E. Ellis, F. Richter, M.E. Levitsky: Thick film on stainless steel: Applications, methods and processes. Proceedings of the 2000 International Symposium on Microelectronics IMAPS-2000, Boston, MA, September 20–22, 2000, pp. 330–334.
C. Jacq, T. Maeder, P. Ryser: High-strain response of piezoresistive thick-film resistors on titanium alloy substrates. J. Eur. Ceram. Soc. 24(6), 1897 (2004).
M. Hrovat, D. Belavič, A. Benčan, J. Holc, G. Dražič: A characterisation of thick-film PTC resistors. Sens. Actuators, A 117(2), 256 (2005).
M.A. Eisa, M.F. Abadir, A.M. Gadala: The system TiO2-PbO in air. Trans. J. Br. Ceram. Soc. 79(4), 100 (1980).
R.S. Roth, T. Negas, L.P. Cook: System PbO-SiO2: Phase diagrams for ceramists. Am. Ceram. Soc. IV(Suppl), Fig. 5172 (1981). [After R.M. Smart and F.P. Glasser: Compound formation and phase equilibria in the system lead oxide–silicon dioxide. J. Am. Ceram. Soc. 57(9), 378 (1974)].
SiO2–TiO2 System Phase Diagrams for Ceramists, edited by E.M. Levin, C.R. Robbins, H.F. McMurdie, The American Ceramic Society, 1964, Vol. 1, Fig. 113. [After R.C. DeVries, R. Roy, and E.F. Osborn: The system titania–silica. Trans. J. Br. Ceram. Soc. 53(9), 5251954 ].
C. Jacq, T. Maeder, S. Vionnet, P. Ryser: Low-temperature thick-film dielectrics and resistors for metal substrates. J. Eur. Ceram. Soc. 25(12), 2121 (2005).
D.W. Johnson, F.A. Hummel: Phase equilibria and liquid immiscibility in the system PbO–B2O3–SiO2. J. Am. Ceram. Soc. 51(4), 196 (1968).
M. Prudenziati, B. Morten, B. Forti, A.F. Gualtier, G.M. Dilliway: Devitrification kinetics of high lead glass for hybrid microelectronics. Int. J. Inorg. Mater. 3, 667 (2001).
X. Xing, J. Deng, J. Che, G. Liu: Novel thermal expansion of lead titanate. Rare Metals 22(4), 1 (2003).
I.L. Trubnikov: Thermal expansion and corrosion behavior of lead-borosilicate glasses. Refractories Indust. Ceram. 41(5–6), 169 (2000).
European Parliament and of the Council: On the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment (ROHS). Directive 2002/95/EC, 2002.