Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu phân bố thống kê của xung đơn-photon từ các cảm biến quang điện hiệu ứng bể silicon
Tóm tắt
Các phân bố thống kê của xung từ các cảm biến quang điện hiệu ứng bể silicon với cấu trúc p
+
n-v-n
+ và n
+
p-π-p
+ đã được nghiên cứu trong chế độ đếm photon. Phân tích so sánh các phân bố thống kê cho các cảm biến quang điện hiệu ứng bể này được trình bày.
Từ khóa
#cảm biến quang điện #phân bố thống kê #xung photon #silicon #chế độ đếm photonTài liệu tham khảo
Gulakov, I.R. and Kholondyrev, S.V., Metod scheta fotonov v optiko-fizicheskikh izmereniyakh (A Method for Counting Photons in Optical Physics Measurements), Minsk: Universitetskoe, 1989, p. 232.
Zappa, F., Lacaita, A.L., Cova, S.D., and Lovati, P., Opt. Eng., 1996, vol. 35, no. 4, p. 938.
Akhmatov, S.A., D’yakov, Yu.E., and Chirkin, A.S., Vvedenie v statisticheskuyu radiofiziku i optiku (Introduction into Statistical Radiophysics and Optics), Moscow: Nauka, 1981, p. 188.
Gulakov, I.R., Zenevich, A.O., Kozlov, V.L., and Novikov, E.V., Doklady Belorusskogo Gosudarstvennogo Universiteta Informatiki i Radioelektroniki, 2003, vol. 1, no. 2, p. 29.
Vetokhin, S.S., Gulakov, I.R., Pertsev, A.N., and Reznikov, I.V., Odnoelektronnye fotopriemniki (Single-Electron Photodetectors), Moscow: Energoatomizdat, 1986, p. 160.
Gulakov, I.R. and Zenevich, A.O., Belarussian Patent 11775, Ofits. Byull. Natsional’nogo Tsentra Intellektual’noi Sobstvellosti Respubliki Belarus, 2009, no. 2 (67), p. 115.