Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Study of silicon incorporation from SiH4 in GaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using tertiarybutylarsine
Journal of Crystal Growth
- Tập 145 Số 1-4
- Trang 397-402
- 1994
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Thông tin
DOI
:
10.1016/0022-0248(94)91082-0
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Journal of Crystal Growth
Tập/Số:
Tập 145 Số 1-4
Trang:
397-402
Thông tin tác giả