Study of capacitance in hydrogenated amorphous silicon phototransistors for imaging arrays

Journal of Non-Crystalline Solids - Tập 338-340 - Trang 780-783 - 2004
M. Tucci1, D. Caputo2
1ENEA Research Center, Località Granatello, 80055 Portici, Napler (Na), Italy
2Department of Electronic Engineering, University of Rome “La Sapienza”, via Eudossiana, 18, 00184 Rome, Italy

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Street, 2000

Caputo, 2000, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. A, 12, 609

Masini, 1993, J. Non-Cryst. Solids, 164–166, 805, 10.1016/0022-3093(93)91119-N

Guha, 1998, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 507, 99, 10.1557/PROC-507-99

Rahn, 1999, IEEE Trans. Nucl. Sci., 46, 457, 10.1109/23.775562

Caputo, 1994, J. Appl. Phys., 76, 3534, 10.1063/1.357435

Caputo, 1997, J. Appl. Phys., 82, 733, 10.1063/1.365607

Caputo, 1996, Phys. Scripta, 53, 617, 10.1088/0031-8949/53/5/022

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Non-Crystalline Solids

Tập 338-340

780-783

Thông tin tác giả