Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodes

Archer R J, 1962, J. Opt. Soc. Am., 52, 970, 10.1364/JOSA.52.000970

10.1063/1.1658340

10.1016/0038-1101(70)90060-2

Cowley A M, 1966, J. Appl. Phys., 37, 3024, 10.1063/1.1703157

Cowley A M, 1965, J. Appl. Phys., 36, 3212, 10.1063/1.1702952

Crowell C R, 1965, J. Appl. Phys., 36, 3843, 10.1063/1.1713959

10.1016/0038-1101(66)90127-4

10.1063/1.1651913

10.1103/PhysRev.140.A179

10.1103/PhysRev.123.85

Henisch H K, 1957

Nicollian E H, 1967, Bell Syst. Tech. J., 46, 1055, 10.1002/j.1538-7305.1967.tb01727.x

Simmons J G, 1963, J. Appl. Phys., 34, 1793, 10.1063/1.1702682

10.1016/0038-1101(68)90041-5

10.1063/1.1656723

10.1103/PhysRev.140.A569