Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu Hệ số Giãn nở Nhiệt của Vật liệu ILD Low-k bằng Phản xạ X-Ray
Tóm tắt
Các thuộc tính điện và cơ học của vật liệu dielectrics low-k đã nhận được nhiều sự chú ý trong những năm gần đây; tuy nhiên, việc đo lường các thuộc tính nhiệt như hệ số giãn nở nhiệt vẫn còn hạn chế. Sự thiếu dữ liệu này phần nào là do số lượng hạn chế các kỹ thuật thực nghiệm có khả năng đo lường tham số này. Ngay cả khi dữ liệu tồn tại, nó thường không được thu thập trên các mẫu có độ dày liên quan đến các quy trình tích hợp hiện tại và tương lai. Chúng tôi trình bày một quy trình sử dụng phản xạ X-ray để đo hệ số giãn nở nhiệt của các lớp mỏng dielectrics dưới vi mô. Đặc biệt, chúng tôi làm rõ cơ học của lớp mỏng cần thiết để trích xuất tham số này cho một lớp hỗ trợ so với một lớp độc lập. Kết quả đo cho một loạt các lớp mỏng dielectrics low-k được lắng đọng bằng phương pháp hóa hơi hóa học plasma và phương pháp spin-on sẽ được cung cấp và so sánh.
Từ khóa
#hệ số giãn nở nhiệt #vật liệu dielectrics low-k #phản xạ X-ray #lớp mỏng #hóa hơi hóa học plasma #spin-onTài liệu tham khảo
K. Maex, M.R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S.H. Brongersma, and Z.S. Yanovitskaya, J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003).
A. A. Volinsky, J. B. Vella, W. W. Gerberich, Thin Solid Films 429 201 (2003).
G. Carlotti, N. Chérault, N. Casanova, C. Goldberg and G. Socino, Thin Solid Films 493 175 (2005).
R. M. Costescu, A. J. Bullen, G. Matamis, K. E. O’Hara, and D. G. Cahill, Phys. Rev. B 65 094205 (2002).
L. G. Parratt, Phys. Rev. 95 359 (1954).
T. P. Russell, Mater. Sci. Rep. 5 171 (1990).
E. Chason and T. M. Mayer, Crit. Rev. Solid State 22 1 (1997).
W.-L. Wu and H.-C. Liou, Thin Solid Films 312 73 (1998).
C. E. Bouldin; W.E. Wallace, G. W. Lynn, S. C. Roth, and W.-L. Wu, J. Appl. Phys. 88 691 (2000).
Kern, E.L.H., D.W.; Deem, H.W.; Sheets, H.D., Mater. Res. Bull. 4, 25 (1969).