Cấu trúc và tính chất của gốm Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-0.38PbTiO3 được dop bằng Bi2O3 với thành phần MPB

Journal of Electroceramics - Tập 36 - Trang 16-20 - 2015
Qiang Zhang1, Zhenrong Li2
1Functional Materials Laboratory, Xi’an University of Architecture and Technology, Xi’an, China
2International Center for Dielectric Research, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China

Tóm tắt

Gốm 0.62Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-0.38PbTiO3-xwt%Bi2O3 (BMT-0.38PT-xBi2O3) đã được chế tạo bằng phương pháp xử lý bột truyền thống. Kết quả cho thấy rằng vùng biên pha morphotropic (MPB) nằm trong khoảng 0.0 ≤ x ≤ 0.3. Đối với x = 0.3, mẫu này thể hiện các tính năng áp điện tốt, d33 ~245pC/N và kp ~40%. Khi hàm lượng Bi2O3 tăng, nhiệt độ Curie (Tc) được ghi nhận là tăng lên, và tổn thất điện môi giảm ở nhiệt độ trên 200 °C so với mẫu BMT-0.38PT. Cuối cùng, nhiệt độ khử cực được phát hiện khoảng 350 °C bằng phương pháp khử cực nhiệt.

Từ khóa

#Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 #PbTiO3 #Bi2O3 #gốm #tính năng áp điện #nhiệt độ Curie #tổn thất điện môi #khử cực nhiệt

Tài liệu tham khảo

R.C. Turner, P.A. Fuierer, R.E. Newnham, T.R. Shrout, Appl. Acoust. 41, 299 (1994) R. Sharp, IEEE Semin. Dig. 1999, 1 (1999) R.E. Eitel, C.A. Ransall, T.R. Shrout, P.W. Rehrig, W. Hackenberger, S.E. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 5999 (2001) C.A. Randall, R.E. Eitel, T.R. Shrout, D.I. Woodward, I.M. Reaney, J. Appl. Phys. 93, 9271 (2003) T.P. Comyn, S.P. McBirde, A.J. Bell, Mater. Lett. 58, 3844 (2004) S.M. Choi, C.J. Stringer, T.R. Shrout, C.A. Randall, J. Appl. Phys. 98, 034108 (2005) I. Grinberg, M.R. Suchomel, W. Dmowski, S.E. Mason, W. Hui, P.K. Davies, A.M. Rappe, Phys. Rev. Lett. 98, 107601 (2007) M.R. Suchomel, P.K. Davies, Appl. Phys. Lett. 86, 262905 (2005) C.A. Randall, R. Eitel, B. Jones, T.R. Shrout, J. Appl. Phys. 95, 3633 (2004) S.J. Zhang, R.E. Eitel, C.A. Randall, T.R. Shrout, E.F. Alberta, Appl. Phys. Lett. 86, 262904 (2005) S. Chen, X. Dong, H. Yang, R. Liang, C. Mao, J. Am. Ceram. Soc. 90, 477 (2007) Y. Jian, B. Qin, X. Yue, Y. Zhao, Y. Jiang, D. Xiao, J. Zhu, J. Appl. Phys. 103, 074116 (2008) P. Winotai, N. Udomkan, S. Meejoo, Sensors Actuators A 122, 257 (2005) A. Sehirlioglu, A. Sayir, F. Dynys, J. Appl. Phys. 106, 014102 (2009) M.D. Snel, W.A. Groen, G. de With, J. Eur. Ceram. Soc. 25, 3229 (2005) Q. Zhang, Z. Li, L. Li, Z. Xu, X. Yao, J. Am. Ceram. Soc. 93, 3330 (2010) S. Chen, X. Dong, C. Mao, F. Cao, J. Am. Ceram. Soc. 89, 3270 (2006) Q. Zhang, Z. Li, L. Li, Z. Xu, X. Yao, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 22, 1490 (2011) V.A. Isupov, Sov. Phys. Solid State 5, 136 (1963) G.A. Smolenskii, J. Phys. Soc. Jpn. 28, 26 (1970) A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, G.S. Svechnikov, S.V. Kalinin, J. Appl. Phys. 113, 187203 (2013)