Tính chất kết cấu của GaN được dop bằng Europium (Eu) và mối quan hệ của nó với các tính chất phát quang

Hyungjin Bang1, Toru Maruyama1, Shigeya Naritsuka1, Katsuhiro Akimoto2
1Century COE program “Nano Factory”, Meijo University, 1–501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468–8502, Japan
2Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan

Tóm tắt

TÓM TẮTCác tính chất kết cấu của GaN được dop bằng Europium (Eu) và mối quan hệ của nó với các tính chất quang học đã được nghiên cứu. Hiện tượng giảm cường độ luminescence liên quan đến Eu đã được quan sát khi nồng độ Eu vượt quá 3 at.%. Các kỹ thuật phản xạ điện tử năng lượng cao (RHEED), vi hiển vi điện tử truyền xuyên (TEM) và nhiễu xạ tia X (XRD) đã được tiến hành để nghiên cứu hiện tượng giảm luminescence này và phát hiện thấy có mối quan hệ chặt chẽ giữa cường độ luminescence ở 622 nm và các tính chất kết cấu. Nguyên nhân của hiện tượng giảm cường độ có thể liên quan đến sự phát triển tinh thể poly và sự hình thành EuN.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Heslop, 1961, Inorganic chemistry: a guide to advanced study

10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<629::AID-PSSB629>3.0.CO;2-4

Dieke, 1968, Spectra and Energy Levels of Rare Earth Ions in Crystals, 242

Förster, 1948, Ann. Phys. (Paris), 2, 55

10.1002/zaac.19784380116

10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<113::AID-PSSA113>3.0.CO;2-D

10.1002/1521-3951(200111)228:1<319::AID-PSSB319>3.0.CO;2-J