Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng cấu trúc, từ tính và quang xúc tác của các hạt nano Bi1−x La x FeO3 tổng hợp bằng phương pháp phân hủy nhiệt
Tóm tắt
Các hạt nano bismuth ferrite (Bi$_{1-x}$La$_{x}$FeO$_{3}$) bị thay thế bằng La đơn pha đã được tổng hợp thông qua quá trình phân hủy nhiệt của một tiền chất glyoxylate. Sự chuyển đổi cấu trúc tinh thể của BiFeO$_{3}$ từ cấu trúc lục giác (R3c) sang cấu trúc lập phương (Pm$ar{3}$m) do sự bổ sung La đã được xác nhận bằng các phương pháp phân tích nhiễu xạ tia X và phổ hồng ngoại. Hơn nữa, các hạt nano Bi$_{1-x}$La$_{x}$FeO$_{3}$ cho thấy hành vi từ tính yếu với từ trường ferrimagnetism, trong khi độ từ hóa tăng từ 0.18 đến 0.48 emu g$^{-1}$ với sự thay thế La. Các hạt nano Bi$_{1-x}$La$_{x}$FeO$_{3}$ thể hiện sự hấp thụ mạnh trong vùng ánh sáng khả kiến với khoảng cách quang học được tính toán từ biểu đồ Tauc trong khoảng 2.19–2.15 eV. Hơn nữa, tác động của sự thay thế La lên quá trình phân hủy quang của thuốc nhuộm methylene blue (MB) dưới ánh sáng khả kiến cũng đã được nghiên cứu. Quá trình phân hủy thuốc nhuộm MB đã được cải thiện từ 64% lên khoảng 99% khi tăng cường sự thay thế La từ x = 0 đến 0.1 và sau đó giảm xuống còn 8% khi x = 0.15.
Từ khóa
#Bismuth ferrite #La substitution #Nanoparticles #Photodegradation #Methylene blue #Magnetic propertiesTài liệu tham khảo
Soltani T and Entezari M H 2013 J. Mol. Catal. A Chem. 377 197
Soltani T and Entezari M H 2013 Ultrason. Sonochem. 20 1245
Jiang L M and Zhou G 2012 Mater. Sci. Semicon. Proc. 15 108
Gole J L, Stout J D, Burda C, Lou Y B and Chen X B 2004 J. Phys. Chem. B 108 1230
Casbeer E, Sharma V K and Li X Z 2012 Sep. Purif. Technol. 87 1
Gao F, Chen X et al 2007, Adv. Mater. 19 2889
Catalan G and Scott J F 2009 Adv. Mater. 21 2463
Safi R and Shokrollahi H 2012 Prog. Solid State Chem. 40 6
Park T J, Papaefthymiou G C, Viescas A J, Moodenbaugh A R and Wong S S 2007 Nano Lett. 7 766
Yao Q R, Cai J, Zhou H Y, Rao G H, Wang Z M and Deng J Q 2015 J. Alloys Compd. 633 170
Liu W, Tan G, Dong G, Ren H and Xia A 2015 Mater. Lett. 142 27
Yan X, Chen J, Qi Y, Cheng J and Meng Z 2010 J. Eur. Ceram. Soc. 30 265
Liu Z, Qi Y and Lu C 2010 J. Mater. Sci. Mater. Electron. 21 380
He J, Guo R, Fang L, Dong W, Zheng F and Shen M 2013 Mater. Res. Bull. 48 3017
Masoudpanah S M, Mirkazemin S M, Shabani S and Taheri Dolat Abadi P 2015 Ceram. Int. 41 9642
Das N, Majumdar R, Sen A and Maiti H S 2007 Mater. Lett. 61 2100
Huang J, Tan G, Yang W, Zhang L, Ren H and Xia A 2014 Mater. Sci. Semicond. Process. 25 84
Gong L, Zhou Z, Wang S and Wang B Mater. Sci. Semicond. Process. 16 288
Vanga P R, Mangalaraja R V and Ashok M 2015 Mater. Sci. Semicond. Process. 40 796
Hassnain Jaffari G, Samad A et al 2015, J. Alloys Compd. 644 893
Dahiya R, Agarwal A, Sanghi S, Hooda A and Godara P 2015 J. Magn. Magn. Mater. 385 175
Al-Haj Mansour 2010, Cryst. Res. Technol. 45 89
Dhanalakshmi R, Muneeswaran M, Shalini K and Giridharan N V 2016 Mater. Lett. 165 205
Sakar M, Balakumar S, Saravanan P and Bharathkumar S 2015 Nanoscale 7 10667
Shabani S, Mirkazemi S M, Masoudpanah S M and Taheri Dolat Abadi P 2014 J. Supercond. Nov. Magn. 27 2795
Khodabakhsh M, Sen C, Kassaf H, Gulun M A and Misirlioglu I B 2014 J. Alloys Compd. 604 117
Nalwa K S, Garg A and Upadhyaya A 2008 Mater. Lett. 62 878
Arnold D C 2015 IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 62 62
Shannon R D 1976 Acta Crystallogr. A 32 751
Zhang X, Sui Y, Wang X, Wang Y and Wang Z 2010 J. Alloys Compd. 507 157
Chen P, Xu X et al 2010, Nano Lett. 10 4526
Bielecki J, Svedlindh P et al 2012, Phys. Rev. B 86 184422
Chauhan S, Arora M, Sati P C, Chhoker S, Katyal S C and Kumar M 2013 Ceram. Int. 39 6399
Basiri M H, Shokrollahi H and Isapour Gh 2014, J. Magn. Magn. Mater. 354 184
Gao H, Tian J, Zheng H, Tan F and Zhang W 2015 J. Mater. Sci. Mater. Electron. 26 700
Li S, Lin Y H, Zhang B P, Wang Y and Nan C W 2010 J. Phys. Chem. C 114 2903
Seidel J, Luo W and Suresha S J 2012 Nat. Commun. 3 799
Wang H, Zheng Y, Cai M, Huang H and Chan H W 2009 Solid State Commun. 149 641
Pei Y L and Zhang C 2013 J. Alloys Compd. 570 57
Feng J, Su L, Ma Y, Ren C, Guo Q and Chen X 2013 Chem. Eng. J. 221 16
Guo R, Fang L, Dong W, Zheng F and Shen M 2010 J. Phys. Chem. C 114 21390
Monch W 2004 Electronic properties of semiconductor interfaces (New York: Springer-Verlag)
Tong G, Du F, Wu W, Wu R, Liu F and Liang Y 2013 J. Mater. Chem. B 1 2647
Bhardwaj A, Burbure N V, Gamalski A and Rohrer G S 2010 Chem. Mater. 22 3527
Hao C, Wen F, Xiang J, Hou H, Lv W, Lv Y, Hu W and Liu Z 2014 Mater. Res. Bull. 50 369