Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng cấu trúc của các màng HfNx được trồng bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ chứa kim loại
Tóm tắt
Trong bài báo này, các màng HfNx trên lớp SiO2/Si được trồng bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ chứa kim loại (MOCVD), và một trong số đó đã được annealing ngoại tại nhiệt độ cao. Các tham số cấu trúc của các màng HfNx được trồng và mẫu sau khi lắng đọng đã được đặc trưng bằng kỹ thuật tán xạ Rutherford (RBS), Kính tán xạ phổ (SE) và kính hiển vi lực nguyên tử (AFM). Các phép đo của mẫu sau khi lắng đọng bằng RBS cho thấy tỉ lệ N:Hf của các màng HfNx sẽ giảm khi độ sâu tăng. Ngoài ra, kết quả SE cho cấu trúc của các màng nitride HfNx tương thích tốt với các kết quả xác định bởi RBS.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
C. H. Choi, P. R. Chidambaram, and R. Khamankar, IEEE Electron. Device. Lett. 23, 224 (2002).
H. C. Zhong, G. Heuss, and V. Misra, IEEE Electron. Device. Lett. 21, 593 (2000).
M. S. Akbar, S. Gopalan, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, C. S. Kang, Y. H. Kim, J. Han, S. Krishnan, and J. C. Lee. Appl. Phys. Lett. 82, 1757 (2003).
H. Y. Yu, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron. Devices. 51, 609 (2004).
W. W. Wang, T. Nabatame, and Y. Shimogaki, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L348 (2005).
W. W. Wang, T. Nabatame, and Y. Shimogaki, Surf. Sci. 588, 108 (2005).
L. R. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 9, 334 (1985).
M. Wormington, C. Panaccione, K. M. Matney, and D. K. Bowen, Phil. Trans. R. Sot. Lond. A 357, 2827 (1999).
C. C. Chen, B. Yu, J. F. Liu, Q. Dai, and Y. F. Zhu, Mater. Lett. 61, 2961 (2007).