Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Độ dẫn điện được điều biến mạnh trong transistor trường điện ferroelectric perovskite
Tóm tắt
Transistor trường điện toàn perovskite với một chất cách điện (Pb0.95La0.05)(Zr0.2Ti0.8)O3 thể hiện một độ dẫn điện được điều biến mạnh ở nhiệt độ phòng trong kênh La1.94Sr0.06CuO4. Độ dẫn điện của kênh được kiểm soát bởi cơ chế nhảy với độ dài nhảy biến đổi và được xác định bởi khoảng cách Coulomb tại mức Fermi.
Từ khóa
#perovskite #transistor trường điện #độ dẫn điện #nhiệt độ phòng #cơ chế nhảy #khoảng cách Coulomb #mức FermiTài liệu tham khảo
Y. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 66(14), 1770 (1995).
C. H. Ahn, R. H. Hammond, T. H. Geballe, et al., Appl. Phys. Lett. 70(2), 206 (1997).
I. V. Grekhov, L. A. Delimova, I. A. Liniichuk, et al., Sverkhprovodimost’: Fiz., Khim., Tekh. 3(1), 1708 (1990).
I. Stolichnov and A. Tagantsev, J. Appl. Phys. 84, 3216 (1998).
Y. Watanabe, Phys. Rev. B 59, 11257 (1999).
A. Taganstsev, A. Kholkin, E. Colla, et al., Integr. Ferroelectr. 10, 189 (1995).
F. Chou, J. Cho, and D. Johnston, Physica C (Amsterdam) 197, 303 (1992).
Yu. Boikov, S. Esayan, Z. Ivanov, et al., Appl. Phys. Lett. 61(5), 528 (1992).
B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Nauka, Moscow, 1979; Springer-Verlag, New York, 1984).
S.-W. Cheong, Z. Fisk, R. Kwok, et al., Phys. Rev. B 37, 5916 (1988).