Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự Hysteres Stress và Phân Tích Cơ Học của Vật liệu Dielectrics Hình thành bằng Phương Pháp Lắng Đọng Hơi Hóa Học Tăng Cường Plasma
Tóm tắt
Hai loại phim dielectrics lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD) có liên quan đến các ứng dụng dựa trên vi điện tử đã được kiểm tra về độ ổn định nhiệt-cơ học. Cả hai phim - nitrua silicon và oxy-nitrua silicon - đều cho thấy những thay đổi không cân bằng vĩnh viễn đáng kể về ứng suất phim trong quá trình chu trình nhiệt và tôi nhiệt. Mối quan hệ tuyến tính giữa ứng suất và nhiệt độ đã thay đổi sau khi các phim được tôi ở 300°C, phản ánh một sự thay đổi cấu trúc trong phim dẫn đến sự thay đổi trong hệ số giãn nở nhiệt và/hoặc mô đun hai trục. Một phương pháp hai chất nền đã được sử dụng để suy luận cả hai tính chất trước và sau khi tôi nhiệt các phim được chọn, và các kết quả đã được so sánh với mô đun được giải mã từ dữ liệu tải-displacement từ các thí nghiệm ấn sâu cảm biến nhỏ.
Từ khóa
#PECVD #vật liệu dielectrics #ổn định nhiệt-cơ học #chu trình nhiệt #tôi nhiệt.Tài liệu tham khảo
G. G. Stoney, Proc. R. Soc. Lond. Ser. A 82, 172 (1909).
W. A. Brantley, J. Appl. Phys. 44, 534 (1973).
INSPEC, Properties of Gallium Arsenide, EMIS Data reviews Ser. No. 2 (The Institute of Electrical Engineers, London, 1986).
W. C. Oliver and G. M. Pharr, J. Mater. Res. 7, 1564 (1992).
W.-Y. Shih, J.-H. Zhao, A. J. McKerrow, E. T. Ryan, K. J. Taylor, and P. S. Ho, in Low Dielectric Constant Materials III, edited by C. Case, P. Kohl, T. Kikkawa, and W. W. Lee, (Mater. Res. Soc. Proc. 476, Pittsburgh, PA, 1997) pp. 173–176.