Strain relaxation and band-gap tunability in ternary<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>In</mml:mtext></mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Ga</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub><mml:mtext>N</mml:mtext></mml:mrow></mml:math>nanowires
American Physical Society (APS) - Tập 78 Số 19
Tóm tắt
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
A.-B. Chen, 1995, Semiconductor Alloys: Physics and Materials Engineering, 10.1007/978-1-4613-0317-6