Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phân tích ứng suất của lớp epilayer GaN được phát triển trên nền sapphire mặt phẳng c với thời gian phát triển khác nhau
Tóm tắt
Phân tích ứng suất của một lớp epilayer GaN với các thời gian phát triển khác nhau trên nền sapphire mặt phẳng c được tiến hành thông qua phương pháp phát triển hai bước, sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại áp suất thấp. Việc xác định các thông số lưới được thực hiện dựa trên các đo đạc chính xác bằng nhiễu xạ tia X độ phân giải cao. Thời gian phát triển ở nhiệt độ cao được thay đổi trong điều kiện phát triển cố định. Các thông số lưới c và a đã được đo, sau đó là ứng suất ngoài mặt phẳng và trong mặt phẳng. Tiếp theo, các thành phần ứng suất hai chiều và ứng suất thuỷ tĩnh được trích xuất từ các giá trị ứng suất tổng thu được và được thảo luận trong bài báo này như là các hàm của thời gian phát triển GaN.
Từ khóa
#GaN #sapphire #ứng suất #phát triển #lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loạiTài liệu tham khảo
Nalwa HS, Rohwer LS (2003) Handbook of luminescence, display materials, and devices, vol 2. American Scientific Publishers, Stevenson Ranch, p 46
Pankove JI, Moustakas TD (1998) Gallium nitride (GaN). Academic Press, San Diego, p 20
Gil B (1998) Group nitride semiconductor compounds. Oxford University Press Inc., Oxford, p 70
Edgar JH, Strite S, Akasaki I, Amano H, Wetzel C (1999) Properties, processing and applications of gallium nitride and related semiconductors. INSPEC, London, p 381
Amano H, Sawaki N, Akasaki I, Toyoda Y (1986) Appl Phys Lett 48:353
Nakamura S (1991) Jpn J Appl Phys 30:L1705
Kisielowski C, Kruger J, Ruvimov S, Suski T, Ager JW, Jones E, Liliental-Weber Z, Rubin M, Weber ER, Bremser MD, Davis RF (1996) Phys Rev B 54:17745
Kisielowski C (1999) Semiconduct Semimet 57:275
Harutyunyan VS, Aivazyan AP, Weber ER, Kim Y, Park Y, Subramanya SG (2001) J Phys D Appl Phys 34:A35
Kwon MS, Cho SI (2004) J Cryst Growth 266:435
Chang K, Cho SI, Kwon MS (2006) Trans Electric Electronic Mater 7:36
Leszczynski M, Teisseyre H, Suski T, Grzegory I, Bockowski M, Jun J, Pakula K, Baranowski JM, Foxon CT, Cheng TS (1996) Appl Phys Lett 69:73
Polian A, Grimsditch M, Grzegory J (1996) J Appl Phys 79:3343
Kittel C (1991) Introduction to solid state physics. John Wiley & Sons, Singapore, p 76
Jain SC, Willander M, Narayan J, Van Overstraeten R (2000) J Appl Phys 87:965