J. Hajtó1, A.J. Snell1, M. J. Rose2, A.E. Owen1, Ian S. Osborne2, T. Kósa1, Andrew Holmes3, R. E. Gibson4
1Department of Electrical Engineering, University of Edinburgh, Edinburgh, EH9 3JL, U.K.
2Department of A.P.E.M.E., University of Dundee, Dundee DDI 4HN, U.K.
3Department of A.P.E.M.E., University of Dundee, Dundee, UK
4Dept of Electrical Engineering, University of Edinburgh, Edinburgh, UK
Tóm tắt
Chúng tôi trình bày kết quả thí nghiệm cho thấy các cấu trúc bộ nhớ silic vô định hình Cr/p+/V ở nhiệt độ phòng thể hiện các đặc tính điện áp-dòng giống như bậc liên quan đến các giá trị điện trở rời rạc, không ngẫu nhiên. Các giá trị điện trở quan sát được là ∼26kΩ/i, trong đó i là một số nguyên hoặc số nguyên phân nửa. Các đặc tính điện áp-dòng dưới dạng dòng cực thấp trước bậc đầu tiên cho thấy rằng sự dẫn điện trong chế độ này bị chi phối bởi hiện tượng đường hầm qua một vùng có kích thước rất nhỏ, khoảng ∼5-7 Å, với đường kính khoảng ∼30-50 Å.
