Phổ quang của xung chùm electron ngắn bằng các mối ghép hầm Nb/AlOx/Nb siêu dẫn

Springer Science and Business Media LLC - Tập 93 - Trang 647-652 - 1993
F. Hebrank1, S. Lemke1, F. Fominaya1, R. Gross1, R. P. Huebener1
1Physikalisches Institut, Experimentalphysik II, Universität Tübingen, Tübingen, Germany

Tóm tắt

Chúng tôi đã sử dụng các mối hàn hầm Nb/AlOx/Nb siêu dẫn (STJs) để thực hiện phổ quang cho các xung chùm electron ngắn, chỉ chứa một vài electron có năng lượng dao động từ 6 đến 35 keV. Việc phân tích phổ đã được thực hiện bằng Kính hiển vi điện tử quét ở nhiệt độ thấp (LTSEM) tại nhiệt độ T=2.6 K. Các phổ cho thấy số lượng electron trong mỗi xung đơn lẻ tuân theo thống kê Poisson và phù hợp tốt với các phổ theo lý thuyết dự kiến. Việc tăng số lượng electron trung bình trong mỗi xung cho thấy phản ứng của bộ detector STJ là tuyến tính lên đến năng lượng đã tích lũy vượt quá 500 keV. Đối với số lượng electron trung bình lớn, độ phân giải năng lượng có thể đạt được của bộ detector bị giới hạn bởi thống kê của các electron trong chùm và ảnh hưởng của các electron phản xạ.

Từ khóa

#viễn thám phổ quang #mối ghép hầm siêu dẫn #electron #năng lượng #thống kê Poisson

Tài liệu tham khảo

D. Twerenbold, A. Zehnder, J. Appl. Phys.61, 1 (1987) M. Kurakado et al., SPIE symposium #1743, July, 1992 F. Hebrank et al., IEEE Trans. Appl. Supercond.3, 2084 (1993) F. Hebrank et al., Nucl. Instr. Meth.A288, 541 (1990) S. Lemke et al., J. Appl. Phys.73, 2659 (1993); S. Lemke et al., Proc. ESA Symp. Phot. Det. f. Space Instr., SP-356 (1992) 335; S. Lemke et al., this volume D. Van Vechten and K. S. Wood, IEEE Trans. Appl. Supercond.3, 2096 (1993) L. Reimer, Scanning Electron Microscopy, Springer, Berlin (1985) R. Gross, U. Klass, M. Koyanagi, LTD II, ed. by L. Gonzales-Mestres and D. Perret-Gallix (Editions Frontières, 1988) p. 255 F. Hebrank et al., LTD IV, Ed. N. Booth, G. Salmon (Ed. Frontières, 1992) 297