Đặc trưng phát quang và phát quang kích thích nhiệt không tiếp xúc trong các phiến SiC cách điện bán dẫn

Chúng tôi báo cáo về việc đặc trưng không tiếp xúc và không phá hủy sự phân bố không gian của các bẫy và trung tâm phát quang trong 6H-SiC cách điện bán dẫn không chứa vanadi. Hai kỹ thuật quang học đã được áp dụng: bản đồ phát quang (PL) và hình ảnh phát quang kích thích nhiệt (TSL) trên các phiến SiC. Địa hình PL và TSL cho thấy sự không đồng nhất ở các vùng ngoại vi của các phiến. Quang phổ PL ở nhiệt độ thấp cho thấy các băng rộng với cực đại tại 1,75eV và 1,2eV, bao gồm một đường zero-phonon sắc nét tại 1,344eV. Đường cong phát quang TSL tại T>80K cho thấy các đỉnh khác nhau trong dải ánh sáng nhìn thấy và hồng ngoại. Quang phổ phát quang của đỉnh TSL 105K tái tạo băng 1,75eV, trong khi đỉnh 120K tương ứng với băng 1,2eV. Ngoài ra, đỉnh TSL ở nhiệt độ cao tại 210K cho thấy sự phù hợp xuất sắc với đường zero-phonon 1,344eV. Năng lượng của các bẫy của các đỉnh khác nhau đã được tính toán. Chúng tôi thảo luận về một mô hình của các khuyết tật phức tạp bao gồm các bẫy electron (lỗ) gần nhau và khuyết tật UD3.