Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phân Bố Không Gian của Các Cấp Độ Sâu Trong Cấu Trúc Dị Thể SiGe/Si
Tóm tắt
Phương pháp DLTS xung ngắn đã được phát triển để đo phân bố các cấp độ sâu trong cấu trúc dị thể SiGe/Si được tạo ra bằng phương pháp CVD trước và sau khi xử lý nhiệt ở 800°C. Những thay đổi của trạng thái khuyết tật đã được tìm thấy và sau khi xử lý, cấp độ sâu đơn lẻ ban đầu 0.62 eV dưới điều kiện băng đã tách thành hai bẫy riêng biệt. Một tín hiệu bẫy sâu yếu mới chỉ được phát hiện trong vùng vừa được thư giãn. Tín hiệu này có thể liên quan đến phức hợp khuyết tật liên quan đến Ge với các khuyết tật không khớp.
Từ khóa
#cấu trúc dị thể #SiGe/Si #đo lường cấp độ sâu #khuyết tật #xử lý nhiệtTài liệu tham khảo
G. L. Patton, J. H. Comfort, B. S. Meyerson, E. F. Crabbe, G.J. Scilla, E.D. Fresart, J.M.C. Stork, J.Y.C. Shen, D.L. Harame, J.N. Burchartz, IEEE Electron Device Lett., 11, 171(1990)
U. Konig et al., Electronics Lett., 27(16), 1405(1991), ibid, 28(2), 160(1992)
T.L. Lin and J. Maserjian, Appl.Phys.Lett., 57, 1423(1990)
B.Y. Tsaur, C.K. Chen and S.A. Marino, IEEE Electron Device Lett., 12, 293(1991)
R.A. Soref, F. Namavar and J. Lorenzo, Optics Lett., 15, 270(1990)
Q. Mi, X. Xiao, J.C. Sturm, L.C. Lenchyshyn and M.L.W. Thewalt, Appl.Phys.Lett., 60, 3177(1992)
Wendwll D. Eadeas and Richard M. Swanson, J. Appl.Phys., 56, 1774(1984)
R. Zhang et al, Appl.Surf.Sci., 48/49, 356(1991)
V. Nagesh, H.G. Grimmeiss, E.L. Heliqvist, K.L. Ljutovich and A. S. Ljutovich, Semicond. Sci.Technol., 5, 556(1990)