Xử lý Sol-Gel để chế tạo lớp mỏng Lithium Niobate trên Silicon

Dennis J. Eichorst1, David A. Payne1
1Department of Materials Science and Engineering, and The Center for Compound Semiconductor Microelectronics, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, USA

Tóm tắt

TÓM TẮT

Xử lý sol-gel đã được sử dụng để chế tạo các lớp mỏng LiNbO3 trên các vật liệu bán dẫn. Hai hệ alkoxide khác nhau đã được điều tra (tức là, ethoxide so với methoxyethoxide) để xác định vai trò của hóa học dung dịch trong sự phát triển cấu trúc của các lớp LiNbO3. Một phản ứng trao đổi alcohol, tạo ra lithium niobium methoxyethoxide, đã tỏ ra có lợi về mặt lượng nước thủy phân có thể được thêm vào để tạo ra các dung dịch ổn định. Phương pháp spin-casting đã được sử dụng để lắng đọng các lớp mỏng, các lớp này đã kết tinh ở 500 độ C trên Si. Chỉ số khúc xạ của LiNbO3 được sinh ra từ sol-gel được xác định là tương tự như các màng phim được phun hoặc phát triển theo kiểu epitaxy. Dữ liệu được báo cáo cho quy trình chế biến và các đặc tính vật liệu. Các hệ thống dựa trên methoxyethanol dường như có độ dung thứ cao hơn so với các dung dịch dựa trên ethanol trong việc chế tạo các thiết bị lớp mỏng chất lượng cao.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1016/0040-6090(86)90353-6

Budd, 1986, Better Ceramics Through Chemistry II, 73, 711

10.1039/jr9560002381

10.1557/JMR.1987.0595

10.1007/BF01730237

Yanovskaya, 1985, Inorg. Mater., 21, 1226

4. Hirano S. , Personal Communication (1988).

10.1016/0025-5408(75)90099-9