Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ảnh hưởng của quá trình nung đến cấu trúc, hình thái và điện tính của oxit erbium nano tinh thể tổng hợp bằng phương pháp sol-gel
Tóm tắt
Bột oxit erbium nano tinh thể được tổng hợp qua kỹ thuật sol-gel. Ảnh hưởng của nhiệt độ nung từ 250°C đến 1400°C lên cấu trúc, hình thái và tính chất điện của vật liệu được nghiên cứu. Kết quả thu được được so sánh với oxit erbium vi tinh thể được mua từ thị trường. Oxit erbium tổng hợp cho thấy cấu trúc nano giống như sợi. Các tính chất dielectrics ở các nhiệt độ nung khác nhau được đo trong khoảng tần số từ 100 Hz đến 5MHz. Oxit erbium tổng hợp có độ điện trở cao nhất tại 650°C. Hành vi của hệ số tiêu tán tan δ cho vật liệu tổng hợp bằng sol-gel khác biệt so với vật liệu đã mua; nó cao hơn ở tần số thấp và sau đó giảm khi tần số tăng lên. Vật liệu tổng hợp nung ở các nhiệt độ khác nhau thể hiện phản ứng tương tự theo tần số đối với độ cho phép (ε) và điện trở (ρ). Điều này phù hợp với lý thuyết dielectrics của Koop. Đối với vật liệu vi tinh thể, sự phụ thuộc theo tần số của độ cho phép và điện trở không đồng nhất. Kết quả cho thấy oxit erbium tổng hợp bằng sol-gel có thể là ứng viên tốt cho các ứng dụng high-k.
Từ khóa
#oxit erbium #nano tinh thể #sol-gel #nhiệt độ nung #tính chất điệnTài liệu tham khảo
C. Zhao, C. Z. Zhao, M. Werner, S. Taylor, and P. R. Chalker, ISRNNtech 2012, 1 (2012).
C. H. Kao, H. Chen, Y. T. Pan, J. S. Chiu, and T. C. Lu, S. S. Com. 152, 504 (2012).
Maria Losurdo, Maria M Giangragorio, Giovanni Bruno, Dongxing Yang, Eugene A. Irene, Alexandra A. Suvorova, and M. Saunders, Appl. Phy. Lett. 91, 091914-1 (2007).
Z. B. Fang, Y. Y. Wang, and Z. M. Jiang, Chin. Phy. B. 18, 3542 (2009).
S. Chen, Y. Y. Zhu, R. Xu, Y. Q. Wu, X. J. Yang, Y. L. Fan, F. Lu, Z. M. Jiang, and J. Zou, Appl. Phy. Lett. 88, 222902-1 (2006).
T. D. Nguyen, C. T. Dinh, and T. O. Do, AcsNano 4, 2263 (2010).
J. Yang, C. Li, Z. Quan, C. Zhang, P. Yang, Y. Li, C. Yu, and J. Lin. J. Phys. Chem. C 112, 12777 (2008).
S. Yin, S. Akita, M. Shinozaki, R. Li, and T. Sato, J. Mater. Sci. 43, 2234 (2008).
M. Lequitte and D. Autissier, Nanostr. Mater. 6, 333 (1995).
C. G. Koops, Phy. Rev. 83, 121 (1951).