Đóng góp của phonon đơn trong hiệu ứng Hall nhảy ở các chất rắn vô định hình và thủy tinh

Cechoslovackij fiziceskij zurnal - Tập 23 - Trang 341-347 - 1973
V. Čápek1, E. Manucharyanc2
1Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Prague, Praha 2, Czechoslovakia
2Faculty of Physics, Moscow State University, Moscow, Moscow, USSR

Tóm tắt

Đã tìm ra đóng góp toàn phần của phonon đơn vào tensor của độ dẫn điện d.c. nhảy trong trường từ ngoài ℋ và biên số đầu tiên của nó (theo ℋ) được chỉ ra là bằng 0 tại ℋ=0. Do đó, độ di động Hall μ_H được tìm thấy tỉ lệ với bình phương hằng số tương tác electron-phonon g² ít nhất, phù hợp với các giá trị cực kỳ thấp của μ_H trong các chất bán dẫn vô định hình và thủy tinh.

Từ khóa

#nhảy điện #hiệu ứng Hall #chất lỏng vô định hình #phonon #độ dẫn điện

Tài liệu tham khảo

Clark A. H., Phys. Rev. 154 (1967), 750. Male J. C., Brit. Jour. Appl. Phys.18 (1967), 1543. Carver G. P., Allgaier R. S., Jour. Non-Cryst. Solids 8–10 (1972), 347. Callaerts B., Denayer M., Hashmi F. H., Nagels P., Discussions of the Farad. Society50 (1970), 27. Seager C. H., Emin D., Quinn R. K., Jour. Non-Cryst. Solids8–10 (1972), 341. Holstein T., Phys. Rev.124 (1961), 1329. Čápek V., Czech. J. Phys.B 22 (1972), 1122. Blatt F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (in Russian), Moscow 1971.