Single-Layer Halide Perovskite Light-Emitting Diodes with Sub-Band Gap Turn-On Voltage and High Brightness

Journal of Physical Chemistry Letters - Tập 7 Số 20 - Trang 4059-4066 - 2016
Junqiang Li1, Xin Shan1, Sri Ganesh R. Bade1, Thomas Geske1,2, Qinglong Jiang1, Xin Yang1, Zhibin Yu1,2
1Department of Industrial and Manufacturing Engineering, High-Performance Materials Institute, Florida State University, Tallahassee, Florida 32310, United States
2Materials Science and Engineering, Florida State University, Tallahassee, Florida 32306, United States

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1038/nphoton.2014.134

10.1002/anie.201308719

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10.1002/adma.201302649

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Journal of Physical Chemistry Letters

Tập 7 Số 20

4059-4066

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