Nghiên cứu mô phỏng ảnh hưởng của lớp đệm đến các tham số bên ngoài của pin mặt trời silicon vô định hình p-i-n

K. Rajeev Kumar1, M. Zeman1,2
1Department of Instrumentation, Cochin University of Science & Technology, Kochi, India
2Laboratory of Electronic Components, Technology and Materials, Delft University of Technology-DIMES, Delft, The Netherlands

Tóm tắt

Mô hình hóa thiết bị của các tế bào quang điện silicon vô định hình p-i-n đã được thực hiện bằng cách sử dụng chương trình mô phỏng phân tích bán dẫn vô định hình (ASA). Mục tiêu của nghiên cứu là giải thích vai trò của lớp đệm nằm giữa các lớp p và i của tế bào quang điện p-i-n đối với các tham số bên ngoài như mật độ dòng tối và điện áp mạch hở. Các nghiên cứu dựa trên mô phỏng đặc tính I-V trong điều kiện tối đã tiết lộ rằng khi độ dày của lớp đệm tăng lên, dòng tối cho một điện áp nhất định giảm xuống.

Từ khóa

#pin mặt trời #silicon vô định hình #tế bào p-i-n #lớp đệm #mô phỏng ASA #mật độ dòng tối #điện áp mạch hở

Tài liệu tham khảo

Kampas F J and Griffith R W 1981 Appl. Phys. Letts 39 407

Komaru T, Sato H, Futako W, Kamiya T, Fortmann C M and Shimizu I 2001 Sol. Energy Mater. Sol. Cells 66 329

Matsuda A and Tanaka K 1986 J. Appl. Phys. 60 2351

Matsuda A, Nomoto K, Takeuchi Y, Suzuki A, Yuuki A and Perin J 1990 Surf. Sci. 227 50

Miro Zeman 1999 Amorphous semiconductor analysis users manual, Version 3.0 TU Delft

Petit A M H N, Zeman M, van Swaaij R A C M M and van de Sanden M C M 2007 MRS website: http://www.mrs.org/s...

Powell M J and Deane S C 1993 Phys. Rev. B48 10815

Yoshida T, Fujikake S, Shimabukuro H, Ichikawa Y and Sakai H 1988 Photovoltaic specialist conference, in Conference record of the 20th IEEE photovoltaics (Las Vegas, NV: IEEE) Vol. 1, p. 335

Willeman Joost A 1998 Modeling of amorphous silicon single and multi junction solar cells, Ph D Thesis, Delft University of Technology, Delft