Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cảm biến hình ảnh trên chip đơn dựa trên silic trên cách điện: Hình ảnh khoa học điện áp thấp
Tóm tắt
Một công nghệ hình ảnh điện áp thấp (≤3.3 V) đã được phát triển để cho phép các cảm biến hình ảnh tiêu chuẩn khoa học với các chức năng phức tạp tiêu thụ năng lượng thấp trên chip. Một cảm biến hình ảnh CCD 128 × 128 với đồng hồ trên chip và chuyển đổi tương tự sang số trong miền điện tích, cũng như một cảm biến pixel chủ động thử nghiệm đã được chứng minh. Hiện tại, một cảm biến hình ảnh CCD 640 × 960 với chuyển đổi điện tích tối ưu 12 bit và một cảm biến pixel chủ động cải tiến đang được chế tạo.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Burke, B. E., Gregory, J. A., Bautz, M.W., Prigozhin, G. Y., Kissel, S. E., Kosicki, B. B., Loomis, A. H. and Young, D. J.: 1997, ‘Soft X-ray CCD Imagers for AXAF’, IEEE Trans. Elec. Dev. 44(10), 1633–1642.
Ceten, P.: 1991, ‘CCD On-chip Amplifiers: Noise Performance versus MOS Transistor Dimensions’, IEEE Trans. Electron Devices 38(5), 1206–1216.
Colinge, J.-P.: 1997, Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 2nd ed., Kluwer Academic Press, Norwell, pp. 123–192.
Fossum, E. R.: 1997, ‘CMOS Image Sensors: Electronic Camera-on-a-chip’, IEEE Trans. Electron Devices 44, 1689–1698.
Paul, S. and Lee, H.-S.: 1996, ‘A 9-b Charge-to-Digital Converter for Integrated Image Sensors’, IEEE J. Solid State Circuits 31(12), 1931–1938.
Suntharalingam, V., Burke, B., Cooper, M., Yost, D., Gouker, P., Anthony, M., Whittingham, H., Sage, J., Burns, J., Rabe, S., Chen, C., Knecht, J., Cann, S., Wyatt, P. and Keast, C.: 2000, ‘Monolithic 3.3 V CCD/SOI-CMOS Imager Technology’, IEEE IEDM Tech. Dig., 697–700.
Yang, G., Yadid-Pecht, O., Wrigly, C. and Pain, B.: IEDM 1998, ‘A Snap-shot CMOS Active Pixel Imager for Low-noise, High-speed Imaging’, Technical Digest, pp. 45–48.
Zheng, X., Wrigley, C., Yang, G. and Pain, B.: 2000, ‘High Responsivity CMOS Imager Pixel Implemented in SOI Technology’, Proc. IEEE Int. SOI Conf., pp. 138–139.