Silicon doping of HVPE GaN bulk-crystals avoiding tensile strain generation

Journal Physics D: Applied Physics - Tập 49 Số 7 - Trang 075502 - 2016
Patrick Hofmann1, Christian Röder2, Frank Habel3, G. Leibiger3, Franziska C. Beyer2, Günter Gärtner2, Stefan Eichler3, Thomas Mikolajick1
1NaMLab gGmbH, Nöthnitzer Straße 64, D-01187 Dresden, Germany
2TU Bergakademie Freiberg, Leipziger Straße 23, D-09599 Freiberg/Sa., Germany
3Freiberger Compound Materials GmbH, Am Junger-Löwe-Schacht 5, D-09599 Freiberg/Sa., Germany

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal Physics D: Applied Physics

Tập 49 Số 7

075502

Thông tin tác giả