Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Bình Silica cho Germani Nung Chảy với Lớp Trong Composite Chứa Boron Nitride
Tóm tắt
Một quy trình đã được phát triển để chế tạo các bình crucible gốm silica hai lớp với lớp trong composite chứa 25% trọng lượng boron nitride. Chúng tôi đã nghiên cứu khả năng ướt của vật liệu chứa trong bình với germani nóng chảy trong môi trường argon ở nhiệt độ 1000°C. Góc tiếp xúc được xác định là 128°, cao hơn khoảng 8° so với gốm silica không có boron nitride. Công việc liên kết được đánh giá từ góc tiếp xúc là 0.25 J/m2.
Từ khóa
#bình silica #boron nitride #germani nung chảy #góc tiếp xúc #vật liệu ceramic #quá trình chế tạoTài liệu tham khảo
Dimroth, F. and Kurtz, S., High-efficiency multijunction solar cells, MRS Bull., 2007, vol. 32, no. 3, pp. 230–235.https://doi.org/10.1557/mrs2007.27
Taishi, T., Ise, H., and Murao, Y., Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities, J. Cryst. Growth, 2010, vol. 312, no. 19, pp. 2783–2787.https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.05.045
Luque, A. and Hegedus, S., Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, Chichester: Wiley, 2003.
Claeys, L. and Simoen, E., Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices, Oxford: Elsevier, 2007.
Hubbard, G.S., Haller, E.E., and Hansen, W.L., Zone refining high-purity germanium, IEEE Trans. Nucl. Sci., 1978, vol. 25, no. 1, pp. 362–370.https://doi.org/10.1109/TNS.1978.4329333
Depuydt, B., Theuwis, A., and Romandic, I., Germanium: from the first application of Czochralski crystal growth to large diameter dislocation-free wafers, Mater. Sci. Semicond. Proc., 2006, vol. 9, no. 4, pp. 437–443.https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.002
Podkopaev, O.I., Shimanskii, A.F., Kulakovskaya, T.V., Gorodishcheva, A.N., and Golubovskaya, N.O., Amorphous silica containers for germanium ultrapurification by zone refining, Inorg. Mater., 2016, vol. 52, no. 11, pp. 1091–1095.https://doi.org/10.7868/S0002337X16100122
Rajput, R.K., Basic Electrical and Electronics Engineering, New Delhi: Laxmi, 2005.
Heraeus Conamic – Backbone of the Information Age, Heraeus Holding GmbH. https://www.heraeus.com/en/hqs/fused_silica/home_hqs.aspx
Shimanskii, A.F., Pivinskii, Yu.E., Savchenko, N.S., and Podkopaev, O.I., RF Patent 2333900, 2008.
Kaiser, N., Cröll, A., Szofran, F.R., Cobb, S.D., and Benz, K.W., Wetting angle and surface tension of germanium melts on different substrate materials, J. Cryst. Growth, 2001, vol. 231, no. 4, pp. 448–457.https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01480-4
Cröll, A., Salk, N., Szofran, F.R., Cobb, S.D., and Volz, M.P., Wetting angles and surface tension of Ge1 – xSix melts on different substrate materials, J. Cryst. Growth, 2002, vol. 242, pp. 45–54.https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01347-7
Cröll, A., Lantzsch, R., Kitanov, S., Salk, N., Szofran, F.R., and Tegetmeier, A., Melt–crucible wetting behavior in semiconductor melt growth systems, Cryst. Res. Technol., 2003, vol. 38, pp. 669–675.https://doi.org/10.1002/crat.200310081
Malmqvist, J. and Tegman, R., Boron nitride coated ceramic crucible with a hole in the bottom—a new device replacing expensive crucibles for the preparation of fusion bead samples for X-ray fluorescence analysis, Anal. Commun, 1997, vol. 34, pp. 343–350.https://doi.org/10.1039/A706796H
Shimanskii, A.F., Podshibyakina, E.Yu., Vasil’eva, M.N., Kulakovskaya, T.V., and Pavlyuk, T.O., RF Patent 2688705, 2019.
Suzdal’tsev, V.I. and Borodai, F.Ya., USSR Inventor’s Certificate no. 501052, 1976.