Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cảm biến quang SiC nhiều lớp cho điện quang học
Tóm tắt
Cảm biến quang nhiều lớp mới được phát triển bao gồm tất cả các lớp của a-Si1−xCx:H (x=0.1−0.8) dựa trên quy trình lắng đọng tốc độ cao được thiết lập bằng phương pháp phóng điện lóa trong hỗn hợp SiH4 và C2H2. Cảm biến quang SiC này được sử dụng cho việc tích điện âm và cho thấy độ nhạy phổ tuyệt vời với độ nhạy cao trong vùng bước sóng ngắn, sẽ giảm đi ở các bước sóng dài hơn 600nm, phù hợp cho máy photocopy giấy trắng. Khả năng tiếp nhận tích điện đạt hơn 40V/μm cho độ dày dưới 20μm. Các đặc tính tích điện được thảo luận dưới khía cạnh các trạng thái phát xạ sâu trong a-SiC:H.
Từ khóa
#cảm biến quang; nhiều lớp; a-Si1−xCx:H; khả năng tích điện; máy photocopyTài liệu tham khảo
H.Itoh, H.Takemura, T.Sasaki, N.Miyamoto, H.Higuchi, K.Ishibitsu and T.Kawamura, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 118, 417 (1988).
Y.Nakayama, N.Yamamoto and T.Kawamura, Proc. U.S.-Japan Joint Seminar on Technological Applications of Tetrahedral Amorphous Solids, Palo Alto, July 19–23, 1982.
M.Kudoh, M.Nakano, Y.Nakayama and T.Kawamura, Proc. the SID 28, 75 (1987)
Y.Nakayama, S.Akita, K.Wakita and T.kawamura, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 118, 73 (1988).
Y.Nakayama, S.Akita, H.Takemura, K.Wakita and T.Kawamura, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 118, 423 (1988).
M.Abkowitz and S.Maitra, J. Appl. Phys. 61, 1038 (1987).
Y.Nakayama, S.Akita and T.Kawamura, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L320 (1988).
Y.Nakayama, H.Kita, T.Takahashi, S.Akita and T.Kawamura, J. Non-Cryst. Solids 97&98, 743 (1987).