Tự giám sát quá trình gãy và biến dạng trong gốm silicon nitride được gia cường bằng titanium carbide

Journal of Materials Science - Tập 35 - Trang 609-612 - 2000
H. L. Wang1, J. B. Li1, J. F. Liu1, Y. Li1
1State Key Lab of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua University, Beijing, People's Republic of China

Tóm tắt

Các hợp kim gốm Si3N4 với bột TiC đã được chế tạo bằng phương pháp nén khí áp suất và khả năng dẫn điện của chúng đã được nghiên cứu. Các hợp kim gốm với độ kháng điện khác nhau bao gồm bột Si3N4 làm ma trận cách điện và TiC làm chất phụ gia dẫn điện. Dưới tác dụng của tải kéo hoặc tải nén giảm, tỷ lệ ΔR/R của các hợp kim TiC/Si3N4 đã tăng một cách có thể đảo ngược. Dưới tải nén, tỷ lệ ΔR/R giảm dần khi tải trọng tăng lên cho đến khi gãy. Kết quả cho thấy khả năng tự theo dõi sự gãy và biến dạng trong các hợp kim dưới tải kéo và nén.

Từ khóa

#gốm Si3N4 #bột TiC #nén khí áp suất #khả năng dẫn điện #tự giám sát #biến dạng #tải kéo #tải nén

Tài liệu tham khảo

A. Ishida, M. Miyayama and H. Yanagida, J. Amer. Ceram. Soc. 77 (1994) 1057-61. A. Ishida, M. Miyayama, A. Kishimoto and H. Yanagida, J. Ceram. Soc. Jap. 103 (1995) 576-581. S. Wang and D D L Chung, Smart Mater. Struct. 6 (1997) 199-203. N. Muto, H. Yanagida, T. Nakatsuji, M. Sugita and Y. Ohtsuka, J. Amer. Ceram. Soc. 76 (1993) 875-879. J. L. Huang, M. T. Lee and H. Hwalu, J. Mater. Sci. 31 (1996) 4899-4906. CHIH-HUNG Yeh and MIN-HSIUNG Hon, J. Amer. Ceram. Soc. 78 (1995) 2395-2400. SCOTT Kirkpatrick, Rev. of Modern Phys. 45 (1973) 574-588. Chen Pu-woei and Chung D D L, J. Amer. Ceram. Soc. 78 (1995) 816-818. Chung D D L, Smart Mater. Struct. 4 (1995) 59-61. Chen Pu-woei and Chung D D L, ibid. 2 (1996) 22-30.