Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hình ảnh chọn lọc các nguyên tử kim loại trong hợp chất lớp bán dẫn MoS2 bằng STM/STS
Tóm tắt
Chúng tôi đã điều tra cấu trúc vùng năng lượng hóa trị của MoS2, một loại dichalcogenide kim loại chuyển tiếp, bằng cách sử dụng kính hiển vi quét tunneling (STM) và quang phổ quét tunneling (STS) lần đầu tiên. Chúng tôi đã phát hiện ra những đỉnh đặc trưng trong đặc tính (dI/dV)/(I/V)-V tại -1.0 và -1.4V dưới mức fermi, tương ứng với trạng thái S Pz và trạng thái Mo dz2. Các nguyên tử Mo chỉ có thể được tiếp cận tại điện áp mẫu -1.4V trong khoảng từ -1.0 đến -1.5V, do sự định vị mạnh mẽ của trạng thái Mo dz2 với băng thông rất nhỏ.
Từ khóa
#MoS2 #STM #STS #cấu trúc vùng năng lượng hóa trị #dichalcogenide kim loại chuyển tiếpTài liệu tham khảo
M. Hara, Y. Iwakabe, K. Tochigi, H. Sasabe, A. F. Garito and A. Yamada, Nature 344, 228 (1990).
M. Weimer, J. Kramar, C. Bai, and J. D. Baldeschwieler, Phys. Rev. B37, 4292 (1988).
T. Mori, K. Saiki, and A. Koma, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1370 (1992).
R. Coehoorn, C. Haas, J. Dijkstra, and C. J. F. Flipse, Phys. Rev. B35, 6195 (1987).
J. C. McMenamin and W. E. Spicer, Phys. Rev. Lett. 29, 1501 (1972).
M. Sancrotti, L. Braicovich, C. Chemelli, and G. Trezzi, Solid. State. Commun. 66, 593 (1988).
R. V. Kasowski, Phys. Rev. Lett. 30, 1175 (1973).
L. F. Mattheiss, Phys. Rev. B8, 3719 (1973).
H. Kawami, S. Inoue, M. Yoshimura, and T. Yao, Solid State Phys. 28, 177 (1993). (in Japanese)
Kobayashi K. (private communication)