Selective Etching of Thick Si3N4, SiO2 and Si by Using CF4/O2 and C2F6 Gases with or without O2 or Ar Addition

Journal of the Korean Physical Society - Tập 54 Số 5(1) - Trang 1816-1823 - 2009
Hee Kwan Lee, Kwan Soo Chung, Jae Su Yu

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo