Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Selective Etching of Thick Si3N4, SiO2 and Si by Using CF4/O2 and C2F6 Gases with or without O2 or Ar Addition
Journal of the Korean Physical Society
- Tập 54 Số 5(1)
- Trang 1816-1823
- 2009
Hee Kwan Lee
,
Kwan Soo Chung
,
Jae Su Yu
Tóm tắt
Từ khóa
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.3938/jkps.54.1816
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Journal of the Korean Physical Society
Tập/Số:
Tập 54 Số 5(1)
Trang:
1816-1823
Thông tin tác giả