Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Điều chỉnh chiều cao rào Schottky bằng các lớp đa lớp hữu cơ-vô cơ hỗn hợp
Tóm tắt
Các polymer và copolymer dẫn điện và cách điện/multilayer hỗn hợp dựa trên hạt nano vàng (HyMLs) đã được chế tạo trên nền tinh thể đơn Si (p-Si) bằng phương pháp lặp lại, bao gồm các kỹ thuật Langmuir-Blodgett và spin-coating (cho việc lắng đọng phim hữu cơ) và kỹ thuật phun các hạt (sputtering) (cho việc lắng đọng hạt nano kim loại), nhằm chuẩn bị thiết bị Schottky Au/HyMLs/p-Si. Các thuộc tính điện của thiết bị Schottky Au/HyMLs/p-Si đã được điều tra thông qua các phép đo dòng-điện (I-V) trong khoảng độ dày từ 1-5 lớp đôi (BL). Tại số lượng lớp khác nhau, các phép đo I-V đã được thực hiện. Kết quả cho thấy hành vi chỉnh hướng. Các tham số tiếp giáp, chẳng hạn như chiều cao rào (BH), từ các phép đo I-V, ví dụ cho cấu trúc Au/HyMLs/p-Si dựa trên PMMA-b-PS, đã được xác định là 0.72±0.02 eV tại 1BL và 0.64±0.02 eV tại 5BL. Đã quan sát thấy rằng giá trị BH là 0.61 eV thu được cho cấu trúc Au/HyMLs/p-Si dựa trên 5 BL PS thấp hơn giá trị 0.68 eV của các điốt Schottky Au/p-Si thông thường. Do đó, việc điều chỉnh rào cản tiềm năng giao diện cho các điốt Au/p-Si đã được thực hiện bằng cách sử dụng các lớp màng mỏng HyMLs dựa trên các polymer khác nhau.
Từ khóa
#polymers #Schottky barrier #Au #multilayers #electrical propertiesTài liệu tham khảo
M. E. Aydin, F. Yakuphanolu, J.-H. Eom, and D.-H. Hwang, Physica B 387, 239 (2007).
N. Kavasolu, C. Tozlu, O. Pakma, A. S. Kavasolu, S. Özden, B. Metin, O. Birgi, and Öktik, Synth. Met. 159, 1880 (2009).
Aydoan, M. Salam, A. Türüt, and Y. Onganer, Mater. Sci. Eng. C 29, 1486 (2009).
Ö. Güllü, T. Klçolu, and A. Türüt, J. of Phys. and Chem. of Solids 71, 351 (2010).
Ö. Güllü and A. Türüt, Microelectron. Eng. 87, 2482 (2010).
S. Aydoan, Ü. Ncekara, A. R. Deniz, and A. Türüt, Microelectron. Eng. 87, 2525 (2010).
S. Sönmezolu, S. Enkul, R. Ta, G. Çankaya, and M. Can, Thin Solid Films 518, 4375 (2010).
T. Klçolu, M. E. Aydn, G. Topal, M. A. Ebeolu, and H. Sayglı, Synth. Met. 157, 540 (2007).
Ö. F. Yüksel, N. Tuluolu, H. afak, M. Kuş, J. of Appl. Phys. 113, 044507 (2013).
R. Gupta, S.C.K. Misra, B.D. Malhotra, N.N. Baladakere, S. Chandra, Appl. Phys. Lett. 58, 51 (1991).
V. Torrisi, F. Ruffino, G. Isgrò, I. Crupi, G. Li Destri, M. G. Grimaldi, G. Marletta, Appl. Phys. Lett. 103, 193117 (2013).
G. Li Destri, V. Torrisi, G. Marletta, AIP Conference Proceedings 1459, 17 (2012).
V. Torrisi, F. Ruffino, A. Licciardello, M. G. Grimaldi, G. Marletta, Nanoscale Res. Lett. 6, 167 (2011).
R. K. Gupta, R. A. Singh, Journal of Polymer Research 11, 269 (2004).
E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal–Semiconductor Contacts, 2 nd ed. (Clarendon, Oxford, 1988).