Review paper: Nano-floating gate memory devices

Jang‐Sik Lee1
1School of Advanced Materials Eng., Kookmin University, Seoul, Korea

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

J. S. Lee, J. Mater. Chem. 21, 14097 (2011).

K. Kim and S. Y. Lee, Microelectron. Eng. 84, 1976 (2007).

R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli, and A. Visconti, P. IEEE 91, 489 (2003).

S. Aritome, R. Shirota, G. Hemink, T. Endoh, and F. Masuoka, P. IEEE 81, 776 (1993).

C. A. P. Dearaujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature 374, 627 (1995).

A. Fazio, MRS Bull. 29, 814 (2004).

H. F. Hamann, M. O’Boyle, Y. C. Martin, M. Rooks, and K. Wickramasinghe, Nat. Mater. 5, 383 (2006).

P. Pavan, R. Bez, P. Olivo, and E. Zanoni, P. IEEE 85, 1248 (1997).

R. Waser and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833 (2007).

C. Golla P. Cappelletti, P. Olivo, E. Zanoni, Flash Memories, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Netherlands (1999).

C. G. Hwang, P. IEEE 91, 1765 (2003).

Y. M. Kim and J. S. Lee, J. Appl. Phys. 104, 114115 (2008).

J. S. Lee and Q. X. Jia, Electron. Mater. Lett. 4, 95 (2008).

J. S. Lee, Gold Bull. 43, 189 (2010).

J. S. Lee et al., Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 45, 3213 (2006).

S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).

S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi, and H. Hanafi, Appl. Phys. Lett. 69, 1232 (1996).

H. I. Hanafi, S. Tiwari, and I. Khan, IEEE T. Electron Dev. 43, 1553 (1996).

Y. C. King, T. J. King, and C. M. Hu, IEEE T. Electron Dev. 48, 696 (2001).

J. De Blauwe, IEEE T. Nanotechnol. 1, 72 (2002).

Z. T. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, and E. C. Kan, IEEE T. Electron. Dev. 49, 1606 (2002).

Q. D. Ling, D. J. Liaw, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, E. T. Kang, and K. G. Neoh, Prog. Polym. Sci. 33, 917 (2008).

D. V. Talapin, J. S. Lee, M. V. Kovalenko, and E. V. Shevchenko, Chem. Rev. 110, 389 (2010).

C. H. Lee, J. Meteer, V. Narayanan, and E. C. Kan, J. Electron. Mater. 34, 1 (2005).

K. C. Chan, P. F. Lee, and J. Y. Dai, Appl. Phys. Lett. 92, 223105 (2008).

Y. S. Lo, K. C. Liu, J. Y. Wu, C. H. Hou, and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett. 93, 132907 (2008).

J. H. Kim, K. H. Baek, C. K. Kim, Y. B. Kim, and C. S. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 123118 (2007).

H. Park, A. Kim, C. Lee, J. S. Lee, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 94, 213508 (2009).

D. J. Lee, S. S. Yim, K. S. Kim, S. H. Kim, and K. B. Kim, J. Appl. Phys. 107, 013707 (2010).

W. L. Leong, P. S. Lee, S. G. Mhaisalkar, T. P. Chen, and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 90, 042906 (2007).

C. Lee, J. H. Kwon, J. S. Lee, Y. M. Kim, Y. Choi, H. Shin, J. Lee, and B. H. Sohn, Appl. Phys. Lett. 91, 153506 (2007).

J. S. Lee, Y. M. Kim, J. H. Kwon, H. Shin, B. H. Sohn, and J. Lee, Adv. Mater. 21, 178 (2009).

J. S. Lee, Y. M. Kim, J. H. Kwon, J. S. Sim, H. Shin, B. H. Sohn, and Q. X. Jia, Adv. Mater. 23, 2064 (2011).

W. L. Leong, P. S. Lee, A. Lohani, Y. M. Lam, T. Chen, S. Zhang, A. Dodabalapur, and S. G. Mhaisalkar, Adv. Mater. 20, 2325 (2008).

J. S. Lee, J. Cho, C. Lee, I. Kim, J. Park, Y. M. Kim, H. Shin, J. Lee, and F. Caruso, Nat. Nanotechnol. 2, 790 (2007).

S. Kolliopoulou et al., J. Appl. Phys. 94, 5234 (2003).

S. Koliopoulou, P. Dimitrakis, D. Goustouridis, P. Normand, C. Pearson, M. C. Petty, H. Radamson, and D. Tsoukalas, Microelectron. Eng. 83, 1563 (2006).

R. Muralidhar et al., Technical Digest of International Electron Devices Meeting, p. 601, IEEE, Washington, DC (2003).

C. Gerardi et al., IEEE T. Electron Dev. 54, 1376 (2007).

C. Gerardi, S. Lombardo, G. Ammendola, G. Costa, V. Ancarani, D. Mello, S. Giuffrida, and M. C. Plantamura, Microelectron. Reliab. 47, 593 (2007).

J. Sarkar, S. Dey, D. Shahrjerdi, and S. K. Banerjee, IEEE T. Electron Dev. 28, 449 (2007).

S. Jacob et al., Solid-State Electron. 52, 1452 (2008).

Z. C. Liu, F. L. Xue, Y. Su, Y. M. Lvov, and K. Varahramyan, IEEE T. Nanotechnol. 5, 379 (2006).

C. Novembre, D. Guerin, K. Lmimouni, C. Gamrat, and D. Vuillaume, Appl. Phys. Lett. 92, 103314 (2008).

M. F. Mabrook, Y. J. Yun, C. Pearson, D. A. Zeze, and M. C. Petty, Appl. Phys. Lett. 94, 173302 (2009).

Y. M. Kim, Y. S. Park, A. O’Reilly, and J. S. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 13, H134 (2010).

S. J. Kim, Y. S. Park, S. H. Lyu, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 033302 (2010).

L. J. Zhen, W. H. Guan, L. W. Shang, M. Liu, and G. Liu, J. Phys. D-Appl. Phys. 41, 135111 (2008).

W. L. Leong, N. Mathews, S. Mhaisalkar, Y. M. Lam, T. P. Chen, and P. S. Lee, J. Mater. Chem. 19, 7354 (2009).

Y. M. Kim, S. J. Kim, and J. S. Lee, IEEE Electr. Device L. 31, 503 (2010).

S. J. Kim and J. S. Lee, Nano Lett. 10, 2884 (2010).

Y. S. Park, S. Chung, S. J. Kim, S. H. Lyu, J. W. Jang, S. K. Kwon, Y. Hong, and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 213107 (2010).

Y. S. Park, S. Y. Lee, and J. S. Lee, IEEE Electr. Device L. 31, 1134 (2010).

J. C. Park, S. Kim, C. Kim, I. Song, Y. Park, U. I. Jung, D. H. Kim, and J. S. Lee, Adv. Mater. 22, 5512 (2010).