Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Rút lại: Tính chất cấu trúc, điện và quang của màng mỏng ATO chế tạo bằng phương pháp nhúng phủ
Tóm tắt
Bài báo này đã vô tình được công bố hai lần. Do đó, bài báo trùng lặp này giờ đã bị rút lại. Để trích dẫn, vui lòng tham khảo bài báo gốc:
http://www.inljournal.com/?_action=articleInfo&article=22
Các màng mỏng oxide thiếc được dop antimon (ATO) đã được chế tạo bằng phương pháp nhúng phủ. Tác động của việc dop antimon lên các tính chất cấu trúc, điện và quang của các màng mỏng oxide thiếc đã được điều tra. Chloride thiếc(II) ngậm nước (SnCl2·4H2O) và chloride antimon(III) (SbCl3) được sử dụng làm tiền thân cho màng chủ và chất dop, tương ứng. Phân tích nhiễu xạ tia X cho thấy màng SnO2 không dop có độ hướng ưu tiên (211), nhưng khi nồng độ dop Sb tăng lên, một độ hướng ưu tiên (200) được quan sát. Độ chống điện thấp nhất (khoảng 5.4 × 10−3 Ω cm) thu được cho các phim dop Sb ở 2 at.%. Việc dop antimon đã dẫn đến sự gia tăng nồng độ choàng điện và giảm tính di động Hall. Độ truyền ánh sáng của các màng ATO được quan sát tăng đến 96% tại mức dop Sb 2 at.%, sau đó, nó bị giảm đối với mức dop antimon cao hơn.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Fang TH, Chang WJ: Effect of freon flow rate on tin oxide thin films deposited by chemical vapor deposition. Appl Surf Sci 2003, 220: 175. 10.1016/S0169-4332(03)00817-1
Ma J, Hao X, Huang S, Huang J, Yang Y, Ma H: Comparison of the electrical and optical properties for SnO2:Sb films deposited on polyimide and glass substrates. Appl Surf Sci 2003, 214: 208–213. 10.1016/S0169-4332(03)00344-1
Lee SC, Lee JH, Oh TS, Kim YH: Fabrication of tin oxide film by sol-gel method for photovoltaic solar cell system. Sol Energy Mater Sol Cells 2003, 75: 481–487. 10.1016/S0927-0248(02)00201-5
Fukano T, Motohiro T: Low-temperature growth of highly crystallized transparent conductive fluorine-doped tin oxide films by intermittent spray pyrolysis deposition. Sol Energy Mater Sol Cells 2004, 82: 567–575. 10.1016/j.solmat.2003.12.009
Thangaraju B: Structural and electrical studies on highly conducting spray deposited fluorine and antimony doped SnO2 thin films from SnCl2 precursor. Thin Solid Films 2002, 402: 71–78. 10.1016/S0040-6090(01)01667-4
Elangovan E, Ramesh K, Ramamurthi K: Studies on the structural and electrical properties of spray deposited SnO2:Sb thin films as a function of substrate temperature. Solid State Commun 2004, 130: 523–527. 10.1016/j.ssc.2004.03.015
Mishra KC, Johnson KH, Schmidt PC: Electronic structure of antimony-doped tin oxide. Phys Rev B: Condens Matter 1995, 51: 13972–13976. 10.1103/PhysRevB.51.13972
Hammad TM, Tamous HM, Hejazy NK: Effect of argon plasma treatment on the electrical and optical properties of sol gel antimony-doped tin dioxide thin films fabricated by dip coating. Int J Mod Phys B 2007, 21: 4399. 10.1142/S0217979207037776
Kim KH, Lee SW, Shin DW, Park CG: Effect of antimony addition on electrical and optical properties of tin oxide film. J Am Ceram Soc 1994, 77: 915–921. 10.1111/j.1151-2916.1994.tb07247.x
Shanthi S, Subramanian C, Ramasamy P: Growth and characterization of antimony doped tin oxide thin films. J Cryst Growth 1999, 197: 858. 10.1016/S0022-0248(98)01066-5
Grosse P, Schmitte FJ: Preparation and growth of SnO2 thin films and their optical and electrical properties. Thin Solid Films 1982, 90: 309–315. 10.1016/0040-6090(82)90382-0
Terrier C, Chatelon JP, Berjoan R, Roge JA: Sb-doped SnO2 transparent conducting oxide from the sol-gel dip-coating technique. Thin Solid Films 1995, 263: 37–41. 10.1016/0040-6090(95)06543-1
Kaneko H, Miyake K: Physical properties of antimony-doped tin oxide thick films. J Appl Phys 1982, 53: 3629–3634. 10.1063/1.331144
Mulla IS, Soni HS, Rao VJ, Sinha APB: Deposition of improved optically selective conductive tin oxide films by spray pyrolysis. J Mater Sci 1986, 21: 1280–1288. 10.1007/BF00553263
Nakanishi Y, Suzuki Y, Nakamura T, Hatanaka T, Fukuda Y, Fujisawa A, Shimoka G: Coloration of Sn-Sb-O thin films. Appl Surf Sci 1991, 48–49: 55. 10.1016/0169-4332(91)90307-6
Kojima M, Kato H, Gatto M: Optical and electrical properties of amorphous Sb‐Sn‐O thin films. Philos Mag B 1996, 73: 289. 10.1080/01418639609365824
Agashe C, Takwale MG, Marathe BR, Bhide VG: Structural properties of SnO2: F films deposited by spray pyrolysis technique. Thin Solid Films 1988, 17: 99–117. 10.1016/0165-1633(88)90010-X
Advani GN, Jordan AG, Lupis CHP, Longini RL: A thermodynamic analysis of the deposition of SnO2 thin films from the vapor phase. Thin Solid Films 1979, 62: 361–368. 10.1016/0040-6090(79)90012-9
Manifacier JC: Thin metallic oxides as transparent conductors. Thin Solid Films 1982, 90: 297–308. 10.1016/0040-6090(82)90381-9
Jarzebski ZM, Marton JP: Physical properties of SnO2 materials. J Electrochem Soc 1976,123(333C):199C-205C. 10.1149/1.2133010
Ambrazeviciene V, Galdikas A, Grebinskij S, Mironas A, Tvardauskas H: Gas-sensing properties of chemically deposited SnOx films doped with Pt and Sb. Sens. Actuators 1993, B 17: 27–33.
Shanthi S, Subramanian C, Ramasamy P: Investigations on the optical properties of undoped, fluorine doped and antimony doped tin oxide films. Cryst Res Technol 1999, 34: 1037. 10.1002/(SICI)1521-4079(199909)34:8
Hamberg I, Granqvist CG: Evaporated Sn‐doped In2O3 films: basic optical properties and applications to energy‐efficient windows. J Appl Phys 1986, 60: R123. 10.1063/1.337534
Marcel C, Naghavi N, Couturier G, Salardenne J, Tarascon JM: Scattering mechanisms and electronic behavior in transparent conducting ZnxIn2Ox+3 indium–zinc oxide thin films. J Appl Phys 2002, 91: 4291. 10.1063/1.1445496
Coutts TJ, Young DL, Li X: Characterization of transparent conducting oxides. MRS Bull 2000, 25: 58. 10.1557/mrs2000.152